先週、ソフトウエア業界の巨人である米Microsoft社が一風変わったコンソーシアムに加入することが発表されました(Tech-On!関連記事1)。TSV(Si貫通ビア)を利用した3次元積層型の次世代DRAM「Hybrid Memory Cube」(以下、HMC)の普及を推進するHybrid Memory Cube Consortium(HMCC)に加わるとの発表です。 HMCは3次元構造を採用し、ロジック・チップの上に複数個のDRAMチップを垂直方向に積み上げ、それらの配線をTSVで接続する技術です。HMCの最大の特徴は、既存のDRAMに比べて桁違いに性能を向上できる点です。その理由は二つあります。一つは、メイン・ボード上などで半導体パッケージを平置きする従来の手法では「cm」単位だったチップ間の配線距離を、数十μm~1mmへと大幅に短縮できることです。もう一つは、チップ当たり1000~数