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須田淳 工学研究科准教授、木本恒暢 同教授、三宅裕樹氏(同博士課程修了)、奥田貴史 同修士課程学生、丹羽弘樹 同修士課程学生のグループは、SiC(炭化珪素)半導体を用いて、世界最高となる2万ボルトの電圧に耐えるスイッチング素子、バイポーラ・トランジスタを作製することに成功しました。 本研究成果は、10月に刊行された米国電気電子学会(IEEE)の論文誌Electron Device Letters(EDL)11月号に掲載されました。 概要 電力の送電、変電設備には2万ボルトを超える超高耐圧の半導体素子が必要となりますが、現在使用されているSi(珪素:シリコン)では材料の性質(物性)に起因する制約のため、6千~8千ボルト程度の耐圧が限界です。SiCはSiより絶縁破壊や熱に強いという特長を有しており、次世代の超高耐圧半導体素子材料として世界的に注目されています。 本学は、SiC半導体研究の世界
※ 申し込みの受付は終了しました。(2012年11月6日) 平成19年度から平成25年度の7年にわたり整備を進めている清風荘を、一般の方々を対象に、昨年に引き続き本年も公開します。本年は有料とし、案内なしで資料を配付のうえ、各自で観覧していただく形態で実施します。 現在、非公開施設としています「名勝清風荘庭園」およびこのたび国の重要文化財に指定された建造物「清風荘」の試験公開についてご案内します。 清風荘とは 沿革 清風荘は、元公爵西園寺公望の京都別邸として使用されていたものです。公の没後は、住友家により保管されていましたが、本学創設当時の文部大臣として、公私ともに本学の創設を支援された公の遺徳を偲ぶため、昭和19年6月に住友家から京都帝国大学へ寄贈されたものです。 庭園は、明治、大正時代にわたって作庭家として令名ある7代目小川治兵衛氏(国指定の名勝である無鄰庵、平安神宮神苑、円山公園等
村上達也 物質-細胞統合システム拠点(iCeMS=アイセムス)助教・iCeMS京都フェロー、今堀博 同教授らの研究グループは、橋田充 iCeMS・薬学研究科教授、磯田正二 iCeMS客員教授、辻本将彦 同研究員らと協力し、半導体性の単層カーボンナノチューブ(SWNT)が、生体に優しい近赤外光の照射によって活性酸素種を効率良く生成し、さらにその活性酸素種が癌細胞を死滅させることを発見しました。これまで、SWNTの発熱作用が、癌の光線治療メカニズムとして注目されてきましたが、本研究では、SWNTが熱だけでなく活性酸素種も用いて癌を死滅させることを明らかにしました。今後、半導体性SWNTは、これら二つのメカニズムで癌細胞を死滅させるナノ材料としての活用が期待されます。 本論文は米科学誌「アメリカ化学会誌(Journal of the American Chemical Society = JAC
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