SKハイニックスが世界初「72層3D NANDフラッシュメモリ」開発、将来のiPhoneに採用か
Appleのサプライヤーでもある韓国のSKハイニックス（SK Hynix）が、世界初の72層3D NANDフラッシュメモリの開発に成功したというニュースが2〜3日前に流れた。 三次元配列による72層256Gb（ギガビット）の3D NANDフラッシュメモリによって、これまでSKハイニックスが量産してきた48層よりも1.5倍のユニットを搭載可能となり、256Gb NANDフラッシュメモリでは32GBの容量が実現可能となる。更に72層3D NANDフラッシュメモリは、速度の面においても従来の48層のものより2倍以上速くなり、またRead/Write性能は20％速くなるという。消費電力も大幅に削減可能だ。 SKハイニックスのフラッシュメモリは昨年二世代も進化 SKハイニックスは2016年11月以来、第二世代の48層256Gb 3D NANDフラッシュメモリを製造してきた。またその前は2016年4月
iPhone 7s/8はどうなる？東芝、NANDフラッシュメモリ事業をウェスタンデジタルに売却か
台湾のメディアDigiTimesは1月17日に、台湾のPhison ElectronicsのKhein Seng Pua代表の話として、チップメーカーが現在2D NANDから3D NAND（64層）へのテクノロジー転換の過渡期にあり、それによって一時的に供給の逼迫状態が予想よりもタイトになるとみられ、2017年のスマートフォンのNANDフラッシュメモリに対する需要は相変わらず非常に高いままであろう、という報道をしていた。 東芝がNANDフラッシュメモリ事業をウェスタンデジタルに売却？ そして先週金曜日の韓国のThe Korea Herald newspaperの先週金曜日の報道によれば、Appleのフラッシュメモリのサプライヤーである東芝（TOSHIBA）は恐らくNANDフラッシュメモリ事業をウェスタンデジタル（Western Digital）に売却するもようだ、と伝えられている。アナリス
iPhone6 Plus 128GBがクラッシュ・再起動を繰り返す問題発生の証拠動画【メモリ・ハードウェア不良】 | 小龍茶館
本当に起こっていたのね・・・ 一部のiPhone6 Plus 128GBがクラッシュ・再起動を繰り返す問題で、数日前に搭載されているNANDフラッシュメモリの種類がTLCの場合、その問題が起こる可能性が高いことが指摘され話題となった。 そして自身のiPhone6がその該当するNANDフラッシュメモリを搭載しているかどうかについてiPhone6を開けずに調べる方法（要脱獄）は昨日の記事に書いた。 ■【iPhone6/6 Plusの64GB/128GBメモリによるクラッシュ・再起動問題】デバイスを開けずに搭載されているNANDメーカーと種類、TLCかどうかを調べる方法【要脱獄】 実際に紹介した調査方法で私自身のiPhone6 Plus 128GB 日本版SIMフリーを調査してみたところ、実際に問題が発生する可能性があるNANDフラッシュメモリを搭載していることがわかり（そして少し凹み）、これは
【iPhone6/6 Plusの64GB/128GBメモリによるクラッシュ・再起動問題】デバイスを開けずに搭載されているNANDメーカーと種類、TLCかどうかを調べる方法【要脱獄】 | 小龍茶館
数日前に世間を騒がせた、Appleの新型iPhone、特にiPhone6 Plusの128GBモデルでクラッシュや再起動を繰り返す問題（taisy0さんの記事が詳しい）で、問題の原因はフラッシュメモリのコントローラーICにあり、TLC（Triple Level Cell）を使用したNANDフラッシュメモリにあるといわれている。 また、Appleは今後このTLCのNANDフラッシュの仕様をとりやめてMLC（Multi Level Cell）を採用するという業界筋の情報がある上に、更に128GBのiPhone6/6 Plusの一部のリコールにまで応じるという話や、iOS8.1.1で修正するという話もある（本当にOSやソフトウェアレベルでなんとかなるものなのかはわからないが）。 なお、現在ではiPhone6 Plus 128GBに限らず、iPhone6/6 Plusの64GBと128GBにもクラ
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