東芝、100Gbit級フラッシュメモリ向けの二重接合トンネル膜技術
12月12日 発表 株式会社東芝は12日、半導体国際学会(IEDM)にて、100Gbit級フラッシュメモリに向けた要素技術の1つとして、二重接合トンネル膜技術を開発したと発表した。 10nm台世代の微細加工を施したメモリ素子に対応可能な二重接合トンネル膜技術。ゲート内の窒化膜に電荷を蓄積してメモリを保持するSONOS型素子構造内の、電荷の出し入れを制御する。 粒径1.2nmのシリコン微小結晶を厚さ1nmの酸化膜で挟んだ二重接合構造を作り込むことで、ゲート電圧により膜の抵抗が変化することを利用。長時間のメモリ保持と高速な書込/消去の両立が可能になるという。また、従来より薄いため、素子の微細化が可能になるメリットもある。 このほか、窒化膜材料を変更して電荷の蓄積量を増やすと共に、素子構造の最適化を行ない、10年以上の性能保持(3桁程度のON/OFF電流比の維持)を実現したとしている。同社は、1
様々な半導体材料に適応する縦型量子ドットの新しい製造法を開発（量子情報処理技術開発に新たな道）
平成１９年１１月２８日 科学技術振興機構（ＪＳＴ） Tel： 03-5214-8404(広報・ポータル部広報課) 東北大学 Tel： 022-217-5422（電気通信研究所総務課研究協力係） ＪＳＴ(理事長 北澤 宏一)と東北大学（総長 井上 明久）は、III-Ｖ族化合物半導体注１）(In,Ga)As［インジウムガリウム砒素］を用いて、新しい作製方法による極微細３次元MOS(Metal / Oxide / Semiconductor)ゲート構造を持つ縦型量子ドット注２）を試作し、縦型量子ドットの電子スピン注３）をゲート印加電圧と外部印加磁場によって正確に制御できることを確認しました。 縦型量子ドットは「人工原子」とも呼ばれ、ゲート電圧によってドット中の電子数を０から１個ずつ正確に制御することができます。この構造は、単一電子のスピンを調べるのに理想的なデバイスの１つであるとともに、将来の電
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ナノシートをシード層に用いた各種結晶薄膜の配向成長－非常に平滑・高結晶性のシード層を様々な基材の上に室温で作製可能－
独立行政法人 物質・材料研究機構(理事長：岸輝雄、以下ＮＩＭＳ)と独立行政法人 科学技術振興機構(理事長：北澤宏一、以下ＪＳＴ)は、ＮＩＭＳナノスケール物質センター(センター長：佐々木高義)ソフト化学グループの柴田竜雄ＪＳＴ研究員、佐々木高義センター長らにより、様々な基材上での高品質の配向膜の成長を可能とするシード層を、無機ナノシートという独自素材を用いることで室温にて作製することに成功した。 １．様々な先端材料の薄膜化は電子デバイスや発光デバイス等を作製する上で欠くことのできない基盤技術である。Si、GaN、ZnO等の材料では、結晶性や配向性などの結晶の質を上げることでより優れた特性を示すようになるため、薄膜作製における結晶成長のコントロールが重要な課題となっている。既存の方法では単結晶を基板につかったり、基板と薄膜の間にシード層を導入したりすることで結晶成長をコントロールしていたが、単
産総研：光で光を制御する新原理の超高速光半導体スイッチを開発
発表・掲載日：2007/08/31 光で光を制御する新原理の超高速光半導体スイッチを開発 －インターネットなどの情報通信の超高速化に道－ ポイント 光による光の超高速位相変調効果を示す半導体素子で全光スイッチモジュールを開発 非圧縮ハイビジョン100チャンネル分に相当する160 Gb/s の信号の時分割多重分離動作に成功 高精細動画像のリアルタイム送受信など、超高速の光信号処理への応用に期待 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）超高速光信号処理デバイス研究ラボ 石川 浩 研究ラボ長と、光技術研究部門【部門長 渡辺 正信】土田 英実 上席研究員らは、光で光の位相を制御できる全く新しい原理の超高速全光素子を開発、これを用いた干渉計型のスイッチモジュールを開発して、160Gb/sの超高速光信号の10Gb/sへの時分割多重分離動作（DEMUX動作）に成功し
産総研：フィン型トランジスタを用いたSRAMの新回路構成を考案
発表・掲載日：2007/09/18 フィン型トランジスタを用いたSRAMの新回路構成を考案 －動作安定性の大幅な向上により22nm世代高速メモリー技術にも目途－ ポイント フィン型FETと4端子フィン型FETによる、6トランジスタ構成のSRAMを考案。 従来型のSRAMに比べて、1.5倍以上の動作安定性をシミュレーションにより確認。 22nm世代集積回路技術において深刻になる、素子間ばらつきの問題解決に目途。 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）エレクトロニクス研究部門【研究部門長 和田 敏美】先端シリコンデバイスグループ【研究グループ長 鈴木 英一】大内 真一 研究員、昌原 明植 主任研究員らは、システムLSIの面積の50％以上を占めるSRAMの動作安定性を、従来技術の1.5倍に高める、高性能な新回路を考案した。 今回考案されたSRAM回路は、素
プレスリリース｜独立行政法人 物質・材料研究機構 - 深紫外線発光する高純度六方晶窒化ホウ素の常圧液相成長に成功
独立行政法人物質・材料研究機構（理事長：岸 輝雄）光材料センター（センター長：北村 健二）光電機能グループの窪田陽一、渡邊賢司、津田統、谷口尚らは、深紫外線領域で高輝度に発光する高品質な六方晶窒化ホウ素（hBN）１）を1気圧下で簡便に合成する技術を開発した。この方法を用いて、融液から、基板上へのhBN結晶の成長を実現した。この基板上に成長したhBN結晶からも特有の強い深紫外線発光を確認した。 波長350 nm（ナノメートル：ナノは10億分の１）以下の深紫外線光源は、青色半導体レーザーを用いた光記録装置の記録密度をはるかに上回る情報記録デバイスの実現や、ダイオキシン、PCBなど有害物質の分解など環境保全分野での利用、水銀ランプに代わる殺菌用光源など医療分野への展開など幅広い応用が期待されている。現在、深紫外光源に関しては、窒化アルミニウム系材料を中心に国内外で開発研究が活発に進められている
産総研：紫外線を高効率で発光できる半導体材料の開発
酸化亜鉛にマグネシウムを混合することにより、紫外線の発光波長を短波長側に変化させると同時に発光効率を大幅に向上できる。 短い発光波長での発光効率が高いことから実用的な紫外線発光素子の実現が期待できる。 高密度な光情報処理や、高効率・長寿命の白色照明光源、あるいは太陽電池やフラットパネルディスプレイ用の高性能な大面積透明導電体薄膜などの実現につながる。 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）太陽光発電研究センター【研究センター長 近藤 道雄】化合物薄膜チーム 仁木 栄 研究チーム長、エレクトロニクス研究部門【研究部門長 和田 敏美】低温物理グループ 柴田 肇 主任研究員は、酸化亜鉛に数％～10数％のマグネシウムを混合することで、紫外線を高効率で発光する半導体材料を開発した。 今回の酸化亜鉛系半導体材料の発光性能は、分子線エピタキシャル法により高品質な単
産総研：塗布製法を用いた有機薄膜トランジスタのアレイ形成技術を開発
発表・掲載日：2007/05/23 塗布製法を用いた有機薄膜トランジスタのアレイ形成技術を開発 －半導体、ゲート絶縁膜、保護膜を塗布製法で形成し、移動度0.1cm2/V・sを達成－ 株式会社日立製作所(執行役社長：古川一夫／以下、日立)、旭化成株式会社(代表取締役社長：蛭田史郎／以下、旭化成)、独立行政法人産業技術総合研究所(理事長：吉川弘之／以下、産総研)、財団法人光産業技術振興協会(会長：野間口有／以下、光協会)は、このたび、経済産業省、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(理事長：牧野力／以下、NEDO)の支援・委託を受けて、塗布製法によって、有機薄膜トランジスタ(有機TFT：Organic Thin Film Transistor)をマトリックス上に配置して形成する、アレイ形成技術を開発しました。 本技術は、液晶ディスプレイの画素スイッチに、有機TFTアレイ*1を利用する
IBM、「自己組織化」を応用した半導体製造に成功
米IBMは5月3日、貝殻や雪の結晶、歯のエナメル質の形成などに見られる「自己組織化」の原理を、半導体回路の形成に応用した技術を発表した。 従来の半導体製造では、半導体ウエハー上にレジストを塗布、回路図の形状を描いたマスクを用い、光を照射する部分を制御して、必要な形状をレジスト上に描く。そして露光したウエハーから余分な部分のレジストを除去するというプロセスが行われる。 新技術では、化学物質を混合したものをパターンを置いたシリコンウエハーに注ぎ、焼き付ける。すると化学物質は規則性を持って自己組織化を始め、数兆個ものナノスケールの孔を、ウエハー上に形成する。これらの孔は直径20ナノメートルで、現在の最新リソグラフィー技術で形成可能な孔（パターン）の5分の1以下という小ささだ。 無数の孔が形成された時点で、カーボン珪酸ガラスを除去すると、配線と配線の間に真空、つまり「エアギャップ」が生成される。こ
産総研：シリコン半導体デバイスの高集積化を可能にするイオン注入技術
発表・掲載日：2007/03/05 シリコン半導体デバイスの高集積化を可能にするイオン注入技術 －１０ナノメートル以下の浅い領域のドーピングも狙い撃ち－ ポイント 従来のイオン注入技術ではシリコンの結晶構造を回復するために必要だった熱処理が不要。 熱処理が不要なため、導電性を担う不純物ドーパントが表面層から拡散せず、低抵抗化を実現。 極浅接合の形成が可能で、シリコン半導体デバイスの高集積化へ貢献。 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）計測フロンティア研究部門【部門長 秋宗 淑雄】活性種計測技術研究グループ【研究グループ長 野中 秀彦】山本 和弘 主任研究員と井藤 浩志 主任研究員は、シリコン半導体の結晶性を低下させずに500eV以下の超低エネルギーでイオン注入する技術を開発し、表面から10nm以下の領域へのドーピングと低抵抗化を実現した。 シリコン
産総研：炭化ケイ素パワーデバイスのコスト削減を可能に
電力の省エネルギー化には、電力変換器がキーコンポーネントであり、変換器の構成要素であるパワーデバイスの高効率化が重要である。現状のパワーデバイスはSiによって構成されているが、その性能は、昨今の目覚しいSiテクノロジーの進歩によって材料限界に到達しており、もはや性能向上は飽和しつつある。SiCはSiを上回る物性値を持ち、例えばハイブリッド車用インバーターに搭載された場合、理論的には大きさを1/25、損失を1/5に低減できることが分かっている。しかしSiCパワーデバイスの価格はSiに比べ、基板だけでも二桁以上も高く、普及するには至っていない。素子のコストダウンに向けて不可欠な、SiCエピタキシャル膜の高速成長技術の確立が切望されていた。 SiCパワーデバイスは、デバイス特性を発現させるためのエピタキシャル膜を必要とする。通常、エピタキシャル膜は化学気相成長法（CVD法）を用いて作製される。こ
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NEDO:窒化ガリウム半導体で高出力・高周波デバイスを実現（世界最高）−次世代高速ワイヤレス通信システムへの応用が可能に−
プレスリリース「III-V族半導体中のドーピング原子からエネルギーのそろった単一光子の発生に世界で初めて成功」｜独立行政法人 物質・材料研究機構
プレスリリース「シリコン上に非線形光学デバイスを実現」｜独立行政法人 物質・材料研究機構
https://www.riken.jp/press/2007/20070904_2/
http://www.eetimes.jp/contents/200705/17965_1_20070507165202.cfm
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(pdf)naistプレスリリース - 世界初*、バイオの力で高品質シリコン薄膜をわずか数秒で作製することに成功 ～ユビキタスコンピューティングの実現に道。 LSIレベルに近いトランジスタが
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