IEDM 2022で発表される200件余りの一般講演の中から、同プログラム委員会が選んだ注目論文5件を今回と次回の2回に分けて紹介したい。 世界初となる2Dゲートオールアラウンド(GAA)デバイスのデモ(TSMCほか) Paper #34.5, “First Demonstration of GAA Monolayer-MoS2 Nanosheet nFET with 410 μA/μm ID at 1V VD at 40nm Gate Length,” Y-Y. Chung et al, TSMC/National Yang Ming Chiao Tung University/National Applied Research Laboratories Taiwan ゲートオールアラウンド(GAA)構造のシリコンナノシートトランジスタは、次世代デバイスアーキテクチャとして最も有望な候補