青色発光ダイオードは何故、多量の欠陥があるのによく光るのかフェムト秒レーザーと電子の反物質を使いミステリーを解明

青色発光ダイオードは何故、多量の欠陥があるのによく光るのか フェムト秒レーザーと電子の反物質を使いミステリーを解明 国立大学法人筑波大学（学長：岩崎洋一、以下「筑波大学」という）数理物質科学研究科 秩父重英助教授、上殿明良助教授とＪＳＴ（理事長 沖村憲樹）の研究グループは共同で、窒化インジウムガリウム（InGaN)を用いた青色・緑色発光ダイオードが、多量の構造的欠陥を含むにも拘らず高輝度な光を発する理由を明らかにしました。 現在、青色発光ダイオード(LED)やDVDレーザーなどに用いられているInGaNには、結晶を成長させるのに適した「基板」が存在しないことから、ガリウム砒素(GaAs)など従来のLED材料の100万倍もの構造欠陥（結晶としての不完全性や欠損）が存在します。このため、常識的には光を発することはほぼ不可能な材料といえます。それにも拘らず高輝度な光を発するため、表示素子や照明、

[anhelo]

InGaNを発光部に用いた青色・緑色LEDが、多量の構造欠陥を含むのに高輝度光を発する原因、正孔中かなりの数が原子数個程のサイズでIn-Nが集まった局在状態に捕えられ欠陥に捕まりにくく、負電荷の電子と再結合が効率よく