非常に強い電子間の相互作用を持つゼロギャップ半導体を発見 | 物性研究所

東京大学 東京大学 物性研究所 発表のポイント ゼロギャップ（注1）半導体において、約180という非常に大きな比誘電率（注2）を初めて観測しました。 強いと予測されていた電子間の相互作用（注3）の大きさは、電子の運動エネルギーに比べて2桁程度も大きいことを実証しました。 ゼロギャップ半導体において、電子間の相互作用の役割を理解することで、さらに新しい物理現象の発見が期待されます。 発表概要： 東京大学物性研究所の中辻 知教授、リップマー ミック准教授らの研究グループは、米国ジョンズ・ホプキンス大学との共同研究で、ゼロギャップ半導体として知られるイリジウム酸化物Pr2Ir2O7をテラヘルツ（注4）分光を用いて調べたところ、5ケルビン（マイナス268℃）という低温にて、これまで他のゼロギャップ半導体で知られていた値の数十倍以上高い約180という非常に大きな比誘電率を観測し、電子間の相互作用も非

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スズペスト・α-スズの導電性からゼロギャップ半導体・ラッティンジャー半金属