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新構造SiCダイオード | ニュース | 企業情報 | 半導体のローム ROHM
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新構造SiCダイオード | ニュース | 企業情報 | 半導体のローム ROHM
耐破壊性の大幅な改善により信頼性を大幅に向上! ロームと日産自動車が新構造SiCダイオードを共同開発... 耐破壊性の大幅な改善により信頼性を大幅に向上! ロームと日産自動車が新構造SiCダイオードを共同開発! ローム株式会社(本社:京都市)はこのほど、日産自動車株式会社(本社:東京都)と共同で、大幅な高信頼性を実現した新構造SiCダイオードを開発いたしました。今回開発したSiCダイオードは、ロームの高信頼性デバイス開発技術と、日産自動車が新たに開発した新構造HJD(ヘテロジャンクションダイオード)を融合したもので、従来に比べてアバランシェ耐量を約10倍に改善、耐破壊性の大幅(約10倍)な向上を実現しました。 近年、急速に普及している電気自動車(HEV、FCV、EV)などのインバータ用途で高耐圧、大電流容量のダイオードが求められていますが、現在主流となっているSi(シリコン)ダイオードでは、オン抵抗が5mΩcm2〜10mΩcm2と大きく、電力ロスが発生することに加えて、その電力ロスに伴う放熱対