「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 12「PLLs and Wireless Transceivers」では，PLLで2件，および１チップ・ラジオを実現するための無線トランシーバに関する2件の発表があった。全発表が大学からであることも特筆すべきところである。

高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜/メタル・ゲート・スタックをソース・ドレインよりも後に形成するゲート・ラスト（gate-last）・プロセスに関しては，米Intel Corp.（講演番号13.2）とソニー（同13.1）がそれぞれ，ダマシン・ゲート（replacement gate）法による成果を披露した。Intelはこの技術を，45nm世代のマイクロプロセサの量産品に適用している。

「2008 Symposium on VLSI Technology」では，高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜とメタル・ゲート（以下HKMG）に関する発表が目白押しだった。会期初日と2日目だけで，HKMGを冠したセッションが3つ，発表は15件余りに達した。ただし，その内容は過去の同シンポジウムからは明らかに変化している。

「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 16「60‐120GHz Wireless Receivers」は，キャリア周波数60GHz以上のミリ波無線受信ICに役立つさまざまなアイデアが登場し，活発な質疑応答が交わされた。

「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 4「Low-Power and Reconfigurable RF」では，医療用体内埋め込み（implantable）機器などのための近距離無線通信用送受信機，およびソフトウエア無線用のダイレクト・コンバージョン受信機に関する新技術の提案がそれぞれ2件ずつあった。

米Avago Technologies Ltd.は，FBAR（film bulk acoustic resonator）技術を使ったフィルタを搭載した，CDMA方式の携帯電話システム用のアンテナ共用器IC「ACMD-7103」を発売する。800MHz帯の携帯電話機用デュプレクサ（送受分波器）と北米のPCS帯（1.9GHz帯）のデュプレクサ，GPS帯の受信フィルタ，およびトリプレクサを集積した。同社では「クィントプレクサ（quintplexer）」と呼ぶ。今回の製品は，特にPCS帯域での挿入損失を低く抑えた。これにより消費電力を低減し，受信感度を高められるとする。CDMA方式の携帯電話機やデータ送受信カード，フェムトセルなどでの利用を想定する。

「2008 Symposium on VLSI Circuits」の開催2日目（6月19日）の夜，ランプセッション「Photons vs. Electrons－Which Will Win and When?（The Ongoing Race for Short-Distance High-Speed Data Connectivity)」が開催された。

産業技術総合研究所は，純度を高めた半導体単層カーボン・ナノチューブ（SWCNT）を用いたトランジスタの作製に成功したと発表した（発表資料）。作製したトランジスタのオン/オフ比（オン時とオフ時のドレイン電流の比）は1×105以上であり，キャリア移動度は2cm2/Vs以上という。 今回，高濃度のSWCNTを得られる技術を開発し，トランジスタ作製に用いた。まず，市販のSWCNT原料粉末を共役高分子であるポリフルオレン（PFO）を分散剤として溶液中に分散し，続いて毎分3万回以上という超遠心分離することで，選択的に分離した半導体SWCNTの上澄み液を抽出する。PFOを取り除いた後，半導体SWCNT溶液を基板上にコーティングすることで半導体SWCNT膜を形成している。SWCNT薄膜を用いるトランジスタは，コストが安く，量産性に優れ，大面積化も容易とみられているが，半導体SWCNT以外に金属SWCNTや

ソニーが裏面照射（背面照射，BSI:backside illumination）技術を適用したCMOSセンサを開発した。「量産化のメドが付いた。今後，顧客候補とともに細かな仕様を詰めたい」（ソニー）という。同技術を量産品に適用することを公表したのは，米OmniVision Technologies Inc.に続き2社目である。

米IBMはスイスで現地時間2008年6月5日，3次元（3D）積層LSIのダイの間に水を通して冷やすLSI冷却技術を発表した。ダイの隙間から熱を奪うことができ，発熱の大きな3D積層LSIを効率よく冷やせるという。

TSV（Si貫通配線）を使う3次元積層技術が，今後の半導体にとって欠かせないものとして注目を浴びている。TSVの加工は，MEMS製造装置や材料にとって，市場規模の莫大な分野でもある。その一方，現行のワイヤー・ボンディングによる3次元積層技術に対する利点が，すべての用途で見出せないために，採用がどの程度進むのか不透明な部分が多い。TSVによる3次元積層の動向について，調査会社の仏Yole Developpement社が分析した。性能に対する期待の高いDRAMで，採用が進む可能性が高いとする。（三宅 常之＝『NIKKEI MICRODEVICES』）

携帯電話機向け撮像素子で世界シェア3位の米OmniVision Technologies Inc.が，CMOSセンサの新製品で，その構造をガラリと変えた。いわゆる裏面照射（背面照射，BSI:backside illumination）技術を採用したのだ。 裏面照射とは，光電変換前に光の損失を大きく抑える技術である。通常のCMOSセンサでは，光電変換を担うフォトダイオードの周りを配線層が取り囲んでおり，しかも配線層は3つほどもある。 この結果，フォトダイオードはCMOSセンサ中の奥底に置かれてしまい，光がフォトダイオードになかなか直接入射しない。少しでも光を多く入射させるには，撮像素子に対して光を垂直に当てることが有効だが，そうするとレンズ・ユニットが長くなってしまう。 「それなら配線層がない裏側から光を当てればいい」。こう考えて生み出されたのが裏面照射技術である。この技術を用いた撮像素子は

TSV（Si貫通配線）を使う3次元積層技術が，今後の半導体にとって欠かせないものとして注目を浴びている。TSVの加工は，MEMS製造装置や材料にとって，市場規模の莫大な分野でもある。その一方，現行のワイヤー・ボンディングによる3次元積層技術に対する利点が，すべての用途で見出せないために，採用がどの程度進むのか不透明な部分が多い。TSVによる3次元積層の動向について，調査会社の仏Yole Developpement社が分析した。まずはイメージ・センサーの製品化が相次いでいる。（三宅 常之＝『NIKKEI MICRODEVICES』）

NECエレクトロニクスは，高速伝送系で信号の減衰を引き起こす伝送路のインピーダンス不整合に対し，半導体パッケージのインターポーザ中の素子を使ってインピーダンス調整回路を形成し，波形の劣化を抑える技術を開発した。半導体パッケージの設計段階でインピーダンス不整合を考慮できるため，従来の電磁界解析を行いながら設計する場合に比べると設計時間を1/1000以下に短縮でき，コスト低減が見込めるとする。インターポーザ中に作り込むパッドやビアなど素子の形成方法も一般的なインターポーザのものと変わらないので，低コストに抑えやすい。ただし，今回の技術は，まずは6.25Gビット/秒以上の高速信号を扱う用途を想定しており，BGAパッケージで4～6層といった多層のインターポーザでなければ適用できないとする。

資源・発電事業を手掛ける商社が相次ぎ脱石炭を鮮明にする。三菱商事と三井物産は、発電に使う燃料用石炭（燃料炭）の鉱山事業から2019年にも撤退する方針を決めた。それぞれオーストラリアに保有する燃料炭…続き 三井物産、燃料用石炭の新規開発撤退　権益売却も 「1.5度」と「脱石炭」問題　COP24で浮き彫りに ［有料会員限定］

オランダASM International N.V.の子会社である米ASM America, Inc.は，32nm世代以降のCMOSのゲート・スタック形成に向けたALD（atomic layer deposition）技術の提供を開始した（リリース）。Hf系の高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜と，キャップ層となるLaOxおよびAlOxを連続成膜する。ASMはこのプロセスを同社の複数の装置ユーザーの拠点に導入しているほか，同社の研究施設でデモ・プロセスを提供していく。

極めて消費電力の低いGPS用受信ICが，2009年にも登場しそうだ。英国のファブレス半導体ベンチャーであるAir Semiconductor社は，位置計測時（トラッキング時）の消費電流が1mAと低いGPS受信用ICを，2008年中にサンプル出荷する方針を明らかにした。

米Intel Corp.は，東京で開催されたナノテク関連の国際学会「4ｔｈ International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation（INC4）」の「More than Moore」セッションで，「New paradigms of scaling for MEMS application」と題して講演した。この講演は，同社がMEMSの微細化の可能性について検討してきたことを示す内容だった。

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