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ブックマーク / xtech.nikkei.com (55)

  • データ・センターが新技術を育てる?

    最近、データ・センター向けのSSDsolid state drive)技術について取材しています。データ・センターのサーバーではマイクロプロセサとストレージ(HDD)の間に大きな性能ギャップがあり、これを埋める技術としてSSDが利用され始めました。特にサーバーのPCI Expressスロットに接続するタイプのSSDPCIe SSD)は、サーバーの能力を飛躍的に向上させる技術として注目を集めています。 PCIe SSDの市場で先行する米Fusion-io社によると、同社の製品を導入したサイバーエージェントでは「アメーバピグ」サービスの運営に必要なサーバー台数を、それまでの96台から8台(実質は4台)に減らせたそうです。「PCIe SSDの導入から数年が経ち、現在はサーバーの負荷が3倍に増えたが、それでも十分に対応できている」(Fusion-io社)とのことでした。プロセサとストレージの性

    データ・センターが新技術を育てる?
  • 3次元構造がロジック・NANDに続きDRAMにも、製造に求められる精密さと速度の両立

    半導体製造は今、「デバイス構造の3次元化」という共通課題に直面している。先端品がそろって垂直方向の面積利用に集積化の活路を見出したからだ。複雑な3次元構造を、いかに欠陥なく、高精度に、速く製造できるか。製造装置メーカーへの要求は難解を極める(図1)。 次世代半導体に共通するのは垂直方向の面積を活用する3次元化だ。ロジック半導体はトランジスタ構造の3次元化を深化。DRAMは垂直方向にビットを格納する3D DRAMに向かう。NANDフラッシュメモリーは既に3次元化が進行中だが、400層以上の多層化や、CMOS周辺回路の配置変更などで「より横幅を狭く、縦幅を大きく」する手段を模索する。なお、図中の必要技術は例。図のCuAはCMOS under Arrayの略で、メモリーセルアレーの下部にCMOS周辺回路を積層して密度向上につなげる技術。CoAはCMOS over Arrayの略で、メモリーセルア

    3次元構造がロジック・NANDに続きDRAMにも、製造に求められる精密さと速度の両立
  • EV向けインバーター、次世代材料「窒化ガリウム」がSiCを置き換える

    次世代パワー半導体「窒化ガリウム」の決定打、縦型の実用化なるか 三菱ケミカル、高品質・大口径のGaN自立基板を実現へ 物性面で炭化ケイ素(SiC)よりもパワー半導体への適性が高いとされる窒化ガリウム(GaN)の社会実装を加速するためには、縦型GaNデバイスの実用化が欠かせない。そのためにはGaN on GaNの構造を実現するための、結晶品質が高いGaN自立基板が必須になる。 2024.03.18 SiCの置き換え狙う縦型GaNデバイス、実用化に向けていよいよ動き出す 窒化ガリウム(GaN)ベースの縦型パワーデバイスの開発が、社会実装に向けて着実に前進している。現時点ではシリコンカーバイド(SiC)ベースのパワーデバイスの応用が想定されている、電気自動車(EV)のトラクションインバーター(主モーターの駆動回路)などの高耐圧・大電流の応用に適用可能なデバイスである… 2024.03.11

    EV向けインバーター、次世代材料「窒化ガリウム」がSiCを置き換える
  • 日本勢がパワー半導体で反転攻勢、新工場が24年度に続々稼働

    企業のパワー半導体新工場のうち、特に注目されるのはローム傘下のラピスセミコンダクタ(横浜市)の「宮崎第二工場」と、東芝傘下の東芝デバイス&ストレージの新製造棟である。ラピスセミコンダクタは宮崎県国富町に宮崎第二工場を立ち上げる。もともとはソーラーフロンティア(東京・千代田)の拠点で、ロームグループが買収した。既存の建物やクリーンルームを活用できることから、早期に炭化ケイ素(シリコンカーバイド、SiC)パワー素子の工場を立ち上げられるとする。

    日本勢がパワー半導体で反転攻勢、新工場が24年度に続々稼働
  • シート防水屋根に太陽光パネルを設置するための下地フレーム

    三晃金属工業は、シート防水屋根に太陽光発電パネルを設置するための下地フレーム「ハイタフEGソーラーフレーム」の販売を2023年9月に開始した。 防水シートや断熱ボードをくりぬかず、シート防水屋根の上にソーラーフレームを固定する新工法だ。従来工法より漏水リスクが少なく、断熱欠損部分はなくなる。 もう1つの従来工法であるコンクリートの基礎をシート上に設置する工法よりも重さを60%低減できるので、建物全体にかかる負担を減らせる。防水層を傷める心配もない。 新築と改修のどちらにも対応する。デッキプレートの下地に専用ビスで固定するので風にも強く、建物内の養生は原則不要だ。 価格は、要問い合わせ。 問い合わせ先:三晃金属工業 電話:03-5446-5603 URL:https://www.sankometal.co.jp/

    シート防水屋根に太陽光パネルを設置するための下地フレーム
    mabarasuji
    mabarasuji 2023/11/25
    “三晃金属工業は、シート防水屋根に太陽光発電パネルを設置するための下地フレーム「ハイタフEGソーラーフレーム」の販売を2023年9月に開始”
  • 横型GaN猛追

    窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス、中でも高電子移動度トランジスタ(HEMT)、いわゆる横型GaNの勢いが増してきた。USB充電器での成功を受け、半導体製造大手が続々と量産に踏み出したからだ。量産競争が加速したことで、シリコン(Si)のパワー半導体との価格差は年々狭まりつつある。価格が下がったことで、発熱の少なさ、高速駆動といったGaNの強みを生かした装置開発が各所で格化している。遠くない将来、Si MOSFETを脅かす存在になりそうだ。

    横型GaN猛追
  • 1431億円の巨額負債で破綻 部材費の高騰や円安が追い打ち

    携帯電話メーカーのFCNTが2023年5月30日、民事再生法の適用を申請した。親会社を含めた3社の負債総額は約1431億円だった。原価率の上昇に部材費の高騰、円安が重なり、収益が急速に悪化した。端末の製造・販売は停止したが、携帯大手はサポートの継続を表明している。FCNTはスポンサーの支援を模索しており、一部事業の承継を目指す。 携帯電話メーカーのFCNTは2023年5月30日、東京地方裁判所に民事再生法の適用を申請した。同じく民事再生を申請した同社親会社のREINOWAホールディングス、REINOWAホールディングス子会社で端末の開発・製造を手掛けるジャパン・イーエム・ソリューションズ(JEMS)を含めた3社の負債総額は約1431億円だった。内訳はREINOWAホールディングスが290億円、FCNTが872億円、JEMSが613億円(グループ内の重複分を含む)。 経営破綻の影響は取引先各

    1431億円の巨額負債で破綻 部材費の高騰や円安が追い打ち
    mabarasuji
    mabarasuji 2023/10/05
    トーメンデバイス(売掛金が38億5100万円)やシンデン・ハイテックス(同4億7500万円)、菊池製作所(同2400万円、棚卸在庫は1900万円)”
  • 日本でもVPPの準備着々、100社超が参入見込み

    仮想発電所(VPP)は、多数の分散型電源を束ねるという側面をみれば、まさにIoT(Internet of Things)技術。一方、参加者の電気を預かって運用するという側面をみると、銀行など金融機関の技術“金融テック”そのものである。出遅れていた日でも参入環境が整いつつあり、さまざまな業を持つ企業が多数、このVPP事業に参入しようとしている。 海外では既に盛んになっているVPPの商用サービスが日でも始まりつつある。再生可能エネルギーの買い取り制度の変更や電力取引市場の拡充がきっかけだ。VPP事業に参入、または参入を予定する企業は100社を超える可能性がある。そこでは蓄電システムが大きな役割を果たしそうだ。 仮想発電所(VPP)事業を始めているのは米Tesla(テスラ)だけではない。世界では既に多数のVPP事業者がいる。その中でも“老舗”は、2011年に事業を始めたドイツNext Kr

    日本でもVPPの準備着々、100社超が参入見込み
    mabarasuji
    mabarasuji 2023/10/04
    “まさにIoT(Internet of Things)技術。一方、参加者の電気を預かって運用するという側面をみると、銀行など金融機関の技術“金融テック”そのもの”
  • パワー半導体需要で脚光、生まれ変わる国内電子デバイス工場

    電子機器の電力変換を担うパワー半導体の旺盛な需要を背景に、国内の電子デバイス工場をパワー半導体の生産ラインとして活用する動きが出てきた。シリコン(Si)製のパワー半導体に加え、今後は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いた次世代パワー半導体でもこうした動きが盛んになりそうだ。 ロームは2023年7月、出光興産子会社で太陽光発電システムを手掛けるソーラーフロンティアと、宮崎県にあるソーラーフロンティアの旧・国富工場(宮崎県国富町)の資産取得について基合意したと発表した。この工場にSiCを中心とするパワー半導体の生産ラインを設け、24年末にも稼働させる予定である。 このケースは太陽光発電システム向けのクリーンルームなどの設備をパワー半導体向けに活用するものだが、今後はロジック半導体やアナログ半導体などの生産ラインをパワー半導体向けに転用する事例も出てくることが予想される。その背景

    パワー半導体需要で脚光、生まれ変わる国内電子デバイス工場
    mabarasuji
    mabarasuji 2023/08/21
    “Siベースの半導体向けでは世代遅れとなったラインを、SiCパワー半導体やGaNパワー半導体向けに再生させる動きが出てくる”
  • 「人材育成の基盤を抜きにモデリングの普及はない」,エクスモーションの渡辺氏・芳村氏に聞く

    組み込みソフトウエア分野のモデリングや人材育成に関するコンサルティング企業「エクスモーション」が,2008年9月に設立された(Tech-On!関連記事)。同社の設立を主導した二人のコンサルタント,渡辺博之氏(専務取締役 コンサルティング部長)と芳村美紀氏(常務取締役 研究・開発部長)に設立の経緯,事業の方向性などを聞いた。(聞き手=進藤 智則) ――渡辺さんが新会社を設立されたと聞いて驚きました。エクスモーションの設立の経緯はどのようなものだったのでしょう? 渡辺氏 前職の企業では,ソフトウエア工学の経験が豊富な企業から,取り組みがまだ半ばという企業まで,組み込み分野の幅広い企業にコンサルティングを行っていました。少し前までは,オブジェクト指向分析によるモデリングやソフトウエア設計の改善というのは,ソフトウエア工学について意識の高い一部の企業,それも一部の部署が取り組んでい

    「人材育成の基盤を抜きにモデリングの普及はない」,エクスモーションの渡辺氏・芳村氏に聞く
  • 65W級GaN搭載USB充電器をガチ評価、総合1位は意外なメーカー

    USB充電器の大電力化と小型化が進んでいる。その原動力となっているのが、窒化ガリウム(GaN)のパワー半導体の採用だ。GaNパワー半導体は、シリコン(Si)のパワー半導体と比較して、スイッチング損失が少なく、高効率に電力変換が可能であるため、発熱が少なく小型化ができる。 今回、日経クロステックは、半導体周辺回路と応用製品の開発・設計を得意とするエンジニアリング会社のWave Technology(兵庫・川西)に依頼し、GaNパワー半導体を搭載したUSB充電器の性能評価と、内部構造の分析を行った。同社は開発・設計の知見を生かす形で、リバースエンジニアリングサービスも提供している。 評価の対象は、オンラインサイトで販売されている1つのUSB PDポートを持つ65W級USB充電器である(図1、図2)。具体的には、中国Ankerの「Nano II 65W A2663」、中国Sundix(ブランド名

    65W級GaN搭載USB充電器をガチ評価、総合1位は意外なメーカー
    mabarasuji
    mabarasuji 2023/05/08
    “USB充電器の大電力化と小型化が進んでいる。その原動力となっているのが、窒化ガリウム(GaN)のパワー半導体の採用”
  • 「金属屋根材」は元旦ビューティ工業が1位、機能性とデザインを重視

    「金属屋根材」は元旦ビューティ工業が1位、三晃金属工業が2位となった。元旦ビューティ工業の製品を採用したい人は「機能性」と「デザイン」を重視している。

    「金属屋根材」は元旦ビューティ工業が1位、機能性とデザインを重視
    mabarasuji
    mabarasuji 2023/05/03
    “「金属屋根材」は元旦ビューティ工業が1位、三晃金属工業が2位となった。元旦ビューティ工業の製品を採用したい人は「機能性」と「デザイン」を重視している。”
  • ノーコードでアプリ内製進めるLIXIL、2万個超えでも「野良」を生まない仕組み

    LIXILはDX(デジタルトランスフォーメーション)を推進するため、米Googleグーグル)のノーコード開発ツール「AppSheet(アップシート)」を採用した。2022年7月29日時点で、2万個を超えるアプリケーションを内製し、このうち839個を番運用している。AppSheet活用の狙いについて、同社の岩﨑磨常務役員デジタル部門システム開発運用統括部リーダーは「(情報システム部門に該当する)デジタル部門が開発すべきシステムやアプリにフォーカスできるようにする」と語る。 LIXILがAppSheetを導入した背景には、デジタル部門の負荷増大があるという。「社内でデジタル技術の活用が進んだことにより、デジタル部門が社内の全ての案件に対応するのが難しくなってきている」(岩﨑常務役員)。そこで経営レベルで費用対効果の大きいシステムやアプリをデジタル部門が開発し、小さいものは現場が自ら開発する

    ノーコードでアプリ内製進めるLIXIL、2万個超えでも「野良」を生まない仕組み
  • 住友化学がパワー半導体を狙いGaN基板量産へ、24年度に4インチ

    住友化学は、窒化ガリウム(GaN)基板を手掛ける完全子会社サイオクスを2022年10月1日付けで吸収合併した。住友化学の情報電子化学部門に組み込むことで、研究開発のスピードアップを図る。同社は半導体レーザー(LD)用GaN基板でトップシェアを持つが、今後は縦型GaNパワー半導体に用途を広げていく。 目下の目標は、2024年度の4インチ基板の格量産だ。データセンター用サーバー電源、再生可能エネルギー、電気自動車(EV)などをターゲット市場にみる。2026年ごろに6インチ基板も実用化し、2032年までに関連事業(元々サイオクスが開発していたGaN以外の事業)と合わせて300億円の売上規模を目指す。 GaNはSiCより高耐圧・高周波 縦型GaNパワー半導体は、現在実用化されているGaN製品と異なる次世代パワーデバイスである。現在の「横型(GaN on Si)」は、シリコン(Si)基板上にGaN

    住友化学がパワー半導体を狙いGaN基板量産へ、24年度に4インチ
    mabarasuji
    mabarasuji 2023/02/26
    “半導体レーザー(LD)用GaN基板でトップシェアを持つが、今後は縦型GaNパワー半導体に用途を広げていく。”
  • 豊田合成がGaN HEMTの新構造、高電圧パワエレ機器の小型化を加速へ

    豊田合成は、1万V以上の耐圧を実現可能な、新たなデバイス構造による窒化ガリウム(GaN)ベースの横型GaNパワーデバイスを開発した。現在、パソコンのACアダプターやスマートフォンの急速充電器などで、GaNデバイスを利用した超小型製品が急激に普及してきている。開発した技術を使えば、電気自動車(EV)に搭載される車載充電器(OBC)や再生可能エネルギーの活用に欠かせないパワーコンディショナーなど、より高電圧で駆動するパワーエレクトロニクス機器の小型・軽量化を加速する可能性がある。 ワイドバンドギャップ(WBG)材料ベースのパワーデバイスの技術の進化が著しい。中でも、炭化ケイ素(SiC)など他のWBG材料にはない、多様なデバイス構造を実現可能な特徴を持つGaNにおいて、素子構造の技術革新が急速に進んでいる。GaNは、中低圧・高速動作に向く横型HEMTや高電圧・大電流への対応に向く縦型FET、さら

    豊田合成がGaN HEMTの新構造、高電圧パワエレ機器の小型化を加速へ
    mabarasuji
    mabarasuji 2023/02/13
    [GaN}“1万V以上の耐圧を実現可能な、新たなデバイス構造による窒化ガリウム(GaN)ベースの新構造の横型GaNパワーデバイスを開発”
  • オンセミがVWとパワー半導体で戦略提携、起亜に続きSiC採用

    米onsemi(オンセミ)は2023年1月26日、ドイツVolkswagen(フォルクスワーゲン)と電気自動車(EV)トラクションインバーター用のパワー半導体に関する戦略的契約を結んだと発表した。この契約の一環としてまずSiC(シリコンカーバイド)ファミリー「EliteSiC」の1200Vトラクションインバーターパワーモジュールが供給される予定で、現在その試作品の開発と評価を進めているという。 オンセミによると、今回の契約ではフォルクスワーゲンの各モデルのフロントとリアのトラクションインバーターが対象になる。両社のチームが1年以上にわたりパワーモジュールの最適化に取り組んできた。最初に供給する1200Vトラクションインバーターパワーモジュールは、ピン互換性があり、さまざまな出力レベルや多種類のモーターに容易に対応できるという。 オンセミは同年1月6日にも韓国Kia Motors(起亜自動車

    オンセミがVWとパワー半導体で戦略提携、起亜に続きSiC採用
    mabarasuji
    mabarasuji 2023/02/09
    “今回の契約ではフォルクスワーゲンの各モデルのフロントとリアのトラクションインバーターが対象”
  • 経産省のSiC投資支援策の狙いは再編、「個社では海外にやられる」

    狙いはパワー半導体業界の再編だ。経済産業省は2023年1月19日、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体などの設備投資に対して、上限3分の1を資金援助する取り組みを公開した。企業から申請を募り、経済産業省がそれらを審査して原則的に1案件を選ぶ。 異色なのが、原則として2000億円以上の設備投資しか支援しない点である。SiCパワー半導体製造に強気な投資を続けるロームのそれが最大1700億円(2021年度~2025年度までの累計)であることからも、2000億円という数字のインパクトがうかがえる。件を担当する同省 商務情報政策局 情報産業課 デバイス・半導体戦略室に、この取り組みの意図を聞いた。 2023年1月19日に公開した今回の取り組みは、経済産業省が進める半導体のサプライチェーン強靭(きょうじん)化支援事業の一環である。この事業の支援分野は、(1)従来型半導体、(2)半導体製造装置、(3)半導

    経産省のSiC投資支援策の狙いは再編、「個社では海外にやられる」
    mabarasuji
    mabarasuji 2023/02/09
    “経済産業省は2023年1月19日、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体などの設備投資に対して、上限3分の1を資金援助する取り組みを公開”
  • 基板の高品質化でGaN飛躍の可能性、パワーで先行するSiC追い上げも

    パワー半導体の量産に適用可能な高品質・大口径のGaN基板の実現に成功 これらGaN基板が抱えている課題の根的な原因は、GaN結晶の成長方法にある。現在量産されているバルクGaN基板は、サファイア基板上にHVPE法(ハイドライド気相結晶成長法)と呼ばれる気相成長法によってGaN結晶を成長させて作られている。サファイアなどを結晶成長の基材として利用すると、GaNとの格子定数の違いから、転位がたくさん発生してしまう。加えて、HVPE法では、約1000℃と高温で結晶成長させるため、成長後に常温に冷却すると基板全体が反ってしまい、オフ角が生じてしまうのだ。 現在バルクGaN基板の量産に利用されているHVPE法とは別に、高品質な結晶の成長が可能な方法として、「アモノサーマル法」と呼ばれる方法がある。アモノサーマル法とは、人工水晶の結晶を成長させる方法として工業化されている水熱合成法を応用した技術であ

    基板の高品質化でGaN飛躍の可能性、パワーで先行するSiC追い上げも
    mabarasuji
    mabarasuji 2023/02/02
    “大阪大学は、豊田合成と共同で、「Naフラックス法」と呼ぶさらに別のGaN結晶の成長方法をベースにして、そこに「ポイントシード法」と呼ぶ大口径基板の作成を可能にする技術”
  • 有人宇宙拠点の作業をAIで自動化、エクサウィザーズの模倣学習をJAXAが技術検討

    危険を伴う作業や定型作業を減らし、宇宙飛行士の仕事をもっと高度で創造的にする。そんな目的で宇宙でもロボット活用が検討されている。エクサウィザーズは2023年1月16日、同社のAI人工知能技術が宇宙航空研究開発機構(JAXA)における有人宇宙拠点内クルー作業の自動化に向けた技術検討の対象に採用されたと発表した。 現在運用されている国際宇宙ステーション(ISS)で取り扱う物品の運搬作業には、視覚を代替するカメラや触覚を代替するセンサーなど様々な種類のデータを基に判断し複数のタスクをこなすマルチモーダルなAIに加えて、宇宙拠点に補給物資を送る際に使う物資輸送用バッグのファスナー開閉など不定形物の作業に対応できる模倣学習や予想学習技術が求められている。 模倣学習は、ある分野の専門家による実際のデータを教師データとしてAIに学習させる手法だ。予想学習は模倣学習の1つで、AIが対象物から得られる時

    有人宇宙拠点の作業をAIで自動化、エクサウィザーズの模倣学習をJAXAが技術検討
  • 東芝がパワー半導体の後工程新棟、25年春に生産能力2倍超へ

    同社のパワー半導体の後工程は姫路半導体工場、タイにある工場、外注の3カ所で行われているが、「国内の自動車メーカーへ供給するには国内で生産する方がいい」(同社)ことから、姫路半導体工場の増強を決めた。数10~300V程度の低耐圧MOSFETを中心的に生産する。 今回の投資額は建屋のみで数十億円となり、その他に装置などを新規購入する。同社は同年2月にも、前工程工場の加賀東芝エレクトロニクス(石川県能美市)への300mmウエハー対応製造棟の新設を発表している。前工程・後工程ともに増強し、車載パワー半導体の需要増に備える。

    東芝がパワー半導体の後工程新棟、25年春に生産能力2倍超へ