Single Event Upsets (SEU) Single Event Upsets は、放射線によって引き起こされる半導体デバイスのラッチ状態またはメモリーセルにおいて望ましくない影響です。 概要 Single event upset (SEU) は、コンフィギュレーション・メモリーセル、ユーザーメモリー、レジスタなどのストレージ素子における電離放射線の衝突によって生じます。地上アプリケーションの場合、物質中の放射性不純物から放出されるα粒子、宇宙線と地球大気の相互作用によって生じる高エネルギー中性子、ほとんどの場合熱化した高エネルギー中性子であるが人工装置でも発生する可能性のある熱中性子などの、主なイオン化放射線源が問題となります。過去20年間の研究により、アルファ粒子放射線による SEU の影響を最小限に抑える高純度パッケージ材料が生成されました。避けられない大気中性子は、今日
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