Samsungに2D NAND再注力の兆し、3Dは難しい？平面（2D）での微細化が進んできたNANDフラッシュメモリー。最近では微細化に限界があるとして、NANDを積層して（上方向に積み上げて）面積当たりの容量を増やす「3D NAND」に移行しようとする動きが活発化していました。 ところがそんな状況に変化が出ています。業界で先駆けて3D NANDの開発・製造に取り組んできた韓国Samsung Electronics社が、従来の2D NANDへの回帰の動きを見せているのです。 Samsungが2D注力を宣言 例えば、2016年2月に開催された半導体の国際会議「ISSCC 2016」では、14nmで作った2D NANDの試作品を発表しました（関連記事）。その後、顧客向け説明会で、10nm世代（1znm）の2D NANDへの注力を宣言しました注1）。 もちろんSamsung社にとっても、現状は2D NANDが主力です。量産は16nmの製造プロセスで行い
