How to watch NASA's first Boeing Starliner crewed flight launch today (scrubbed)
12月17日(現地時間)発表 米Sun Microsystemsと米Micron Technologyは17日(現地時間)、100万回の書き換えを実現したNANDフラッシュメモリ技術を開発したと発表した。 従来のNANDフラッシュメモリの書き換え可能回数は10万回程度だが、新技術ではこれを10倍引き延ばした。この技術はSLCを前提としており、信頼性や長寿命が求められる企業向けのSSD、ディスクキャッシュ、ネットワーク装置などへの応用が考えられている。 Micronでは、この技術を利用した最大32Gbitの企業向けSLC NANDのサンプル出荷を開始しており、2009年第1四半期より量産を開始する。また、同社ではこれとは別に34nmプロセスのNANDを使ったSLCおよびMLCの企業向け製品を2009年初頭に投入する予定。 □Micronのホームページ(英文) http://www.micro
Googleはデータセンターでの消費電力を低減するため、ストレージをSSDに変更する計画を持っており、SSDをIntelに発注しているそうだ(DIGITIMESの記事、The Registerの記事)。Intelは第2四半期の終わりごろまでにフラッシュメモリチップを、Marvellはコントローラチップを供給する。 Google全体ではおそらく世界最大規模のストレージがあり、そこでの大量需要によって、SSDの量産化が加速すると思われる。一方で当初は供給が需要に追い付かない可能性が高く、記事では16Gビットと32GビットのNANDフラッシュチップが不足するのでは?という情報ソースの意見を伝えている。
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
処理を実行中です
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く