筑波大など、イオン性分子吸着によるグラフェンの半導体化手法などを提示
筑波大学と産業技術総合研究所(産総研)は、イオン性分子を2層のグラフェン表面に吸着させることによりグラフェンを半導体化できることを理論的に提示した。また、吸着させるイオン性分子の種類を制御することにより、半導体化された2層グラフェンの伝導特性を制御できる可能性があることも理論的に示したことを発表した。 同成果は筑波大 数理物質系の岡田晋 准教授、産総研 ナノシステム研究部門の大谷実 研究グループ付らよるもので、詳細は米国応用物理学会速報誌「Applied Physics Letters」のオンライン版で公開される予定。 半導体デバイスはプロセスの微細化により、高集積化、高速化、低消費電力化が実現してきたが、近年20nm以下のプロセスが量産化されるようになってきており、素子の特性上、微細化だけでは高速化や低消費電力化を達成することが困難になってきた。そのため、次世代半導体を実現可能な新材料や
共同発表：イオン性分子を塗布してグラフェンを半導体化できることを理論的に提示
平成２４年１１月３０日 科学技術振興機構（ＪＳＴ） Tel：03-5214-8404（広報課） 産業技術総合研究所 Tel：029-862-6216（報道室） 筑波大学 Tel：029-853-2040（広報室） ＪＳＴ 課題達成型基礎研究の一環として、産業技術総合研究所 ナノシステム研究部門 大谷 実 研究グループ付と筑波大学 岡田 晋 准教授らは、イオン性分子注１）を２層のグラフェン注２）表面に吸着させることによりグラフェンを半導体化できることを理論的に提示しました。また、吸着させるイオン性分子の種類を制御することにより、半導体化された２層グラフェンの伝導特性を制御できる可能性があることを理論的に示しました。 グラフェンは炭素原子が蜂の巣状に６角形のネットワークを形成したシートで、原子１層からなる究極の薄さと、そのシート上に高移動度の電子が存在することから、世界的に注目されている新材料
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