リチウムを超えるナトリウム2次電池、住友電工が開発 | EE Times Japan
図1 ナトリウム化合物を使った2次電池 小型の単セルを組み合わせた容量9kWhの2次電池モジュールの外観。電池セルを密着させて動作させた大阪製作所所内の構内試験の様子。一戸建てに必要な電池容量を実現できるという。出典:住友電気工業 住友電気工業は2011年3月4日、Na（ナトリウム）化合物を用いた2次電池を開発したと発表した（図1）。資源が豊富なNaを利用しているため、材料コストの低減に向く。 太陽光発電や風力発電などの再生可能エネルギー源と接続して中規模電力網内で電力を蓄える用途や、家庭での定置用途、電池を加熱するスケジュールが立てやすいバスやタクシーなどの車載用途を想定している。 2015年の製品化を予定しており、電池のコストとして、2万円/kWhが視野に入りつつあるという。なお、電気自動車用のリチウムイオン2次電池のコストは10万円/kWh＊1である。 開発した2次電池の体積エネル
インテルが「Thunderbolt」の実動デモを披露、実態が徐々に明らかに | EE Times Japan
インテルは2011年2月24日（米国時間）、米国カリフォルニア州のサンタクララにある本社で新インターフェイス「Thunderbolt」に関する説明会を開催し、800Mビット/秒近いデータ転送速度でThunderboltを実際に動作させるデモを披露した。 このデモでは、アップルの新型ノートPCの「MacBook Pro」と、Promise Technologyのストレージアレイの試作機をThunderbolt経由で接続した（図1）。ただし、このデモで使用したディスプレイの接続には、Thunderboltは使われていなかった。 このデモの様子をEE Timesが撮影した動画を、こちらのリンク先で公開中だ。 図1 インテルが見せたデモの様子 MacBook ProとPromise Technologyのストレージアレイの間をThunderboltで接続した。 2種類のコントローラチップを用意
「シリコンもグラフェンも超える」、新たな半導体材料をスイスの大学が発表 | EE Times Japan
R. Colin Johnson：EE Times （翻訳 田中留美、編集 EE Times Japan） スイスの大学であるÉcole Polytechnique Fédérale de Lausanne（EPFL）の研究グループは、モリブデナイト（二硫化モリブデン、MoS2）を半導体材料として利用できることを発見したと発表した。同グループによれば、MoS2を用いたトランジスタは現在主流の半導体材料であるSi（シリコン）を用いる場合に比べて消費電力が10万分の1と小さい上、トランジスタのサイズを大幅に小型化できるという（図1）。 EPFLによると、MoS2はバンドギャップを持たせることが可能なため、次世代の半導体材料としてグラフェンにも勝るという（参考記事：IBM社、グラフェンFETにバンドギャップを持たせることに成功）。 MoS2は地球上に豊富に存在する鉱物であり、これまでにも合金鋼や
なぜスマートグリッドが必要なのか | EE Times Japan
EU、日本、米国を中心に研究開発や実証実験が進む「スマートグリッド」。従来のように系統（電力網）から、家庭やオフィス、工場などの需要家へ電力を送るだけではない。需要家の情報を系統に戻すことで、系統の信頼性が高まるほか、需要家側でさまざまな付加価値を生むと言われている（関連記事、「スマートグリッドの実証実験、横浜市など4地域で開始へ」）。 しかし、日本国内の系統はすでに十分に信頼性が高い。電気事業連合会によれば、2008年度の1軒当たりの年間停電回数は0.15回、停電時間は10分である。これは事故停電と計画的な作業停電を合わせた時間であるため、予期しない停電（事故停電）はこの数値よりもさらに少なくなる。 停電時間が短く回数が少ないのは、系統に不具合が生じたときに自動応答するさまざまな処理装置が組み込まれているからだ。例えば落雷などで高圧送電線が切断されたとき、切断位置を自動でほぼ確実に把握で
マイコン評価ボード「mbed」、高速プロトタイピングがなぜ可能なのか（後編） | EE Times Japan
マイコン評価ボード「mbed」、高速プロトタイピングがなぜ可能なのか（前編）の続き。 プログラムを作って簡単さを体感 mbedが気軽に、そして簡単に使えるものであることは十分説明した。これ以降では、実際にmbedで動作するプログラムを作り、いかに簡単かをお見せしたい。 図2はmbedの開発環境にアクセスし、画面の左上にある「New」ボタンを押して新しいプログラムを作る準備をしたところだ。図中のソースコードは自動的に挿入されたものである。 これは単純にLEDを点滅させるプログラムだ。「DigitalOut」クラスによって、このプログラムが簡潔になっていることが分かる。DigitalOutはmbedの標準ライブラリに存在するクラスだ。このクラスはmbed基板上のLEDや端子を指定して使うことができる。この例では「DigitalOut myled(LED1)」となっており、初期化子としてLED1
第2回 Androidを語るために身につけておきたいスキル | EE Times Japan
前回は、Androidの応用範囲とその可能性を紹介しました。ほかにも、Androidを適用することでより使いやすくなったり、便利になる例はたくさんあります。ただし、適用しにくい例もあります。無理に使って残念な結果に終わることもあるのです。 悪い結果が出てしまうことを防ぐには、タイミングやコストなどを見定めるビジネスセンスも大切ですが、意思決定の技術的根拠を確かにするスキルが必要です。今回は、Android導入を検討するには、どのようなスキルを身につけておくべきかを考えます。 まずはAndroidの構造をつかむこと まずは、Androidの大まかな構造をつかむ必要があります。図1はAndroidプログラム開発者向け公式WebサイトにあるAndroidの大まかな構造を示したものです。どのような機能があるのかを把握しておきましょう。 そして図1の「コアライブラリ」にどのようなAPI（Androi
第2部 中距離送電技術 温故知新の「共鳴方式」 | EE Times Japan
共鳴（Resonance）現象を使ったワイヤレス送電によって送電側コイルから2m離れた白熱電球を光らせるという、米Massachusetts Institute of Technology（MIT）の研究グループが2007年に公開した実証実験は非常にインパクトがあった。その理由は2つある。1つはすでに述べたように、数mの距離を高い伝送効率でワイヤレス送電するのは難しいという、これまでの業界の一般的な認識を覆した点。もう1つは、送電システムの構成がシンプルだったという点である（図1）。この実験では、直径60cmのコイル2つが離して設置してあり、一方には高周波電源回路、もう一方には負荷とする電球が接続されていた。 図1 共鳴方式の送電システムはシンプル 送電側コイルと受電側コイルを用意して、送電側に高周波電源回路を、受電側に負荷を接続する。コイルは、コイル自身のLと浮遊容量Cで決まる周波数で
Nextreme社が光部品向け小型ヒートポンプの性能を改善、60℃の温度差を発生可能に ― EE Times Japan
Nextreme社が光部品向け小型ヒートポンプの性能を改善、60℃の温度差を発生可能に（2009/03/31） 小型の熱/温度管理素子のメーカーである米Nextreme Thermal Solutions社は、オプトエレクトロニクスに向けたヒートポンプ・モジュール「OptoCooler HV14」の性能を改善したと公表した。具体的には、低温面と高温面の温度差を60℃まで拡大した。OptoCooler HV14は、2009年1月に発表された熱管理用ヒートポンプ・モジュールで、当初の仕様では発生できる温度差は51℃にとどまっていた。同社は今回、薄膜技術を改良することで、温度差を60℃まで改善したという。 熱管理モジュールの温度差を拡大したことで、冷却性能の改善や電力消費量の低減、より高い効率といったメリットが得られるため、オプトエレクトロニクス業界や通信業界の顧客企業にとっては、電子部品の
グラフェン使う2端子構造の新型メモリー素子、フラッシュの2倍超の高密度を目指す ― EE Times Japan
グラフェン使う2端子構造の新型メモリー素子、フラッシュの2倍超の高密度を目指す（2009/01/06） グラフェン（graphene）を使う2端子構造の新型メモリー素子によって、フラッシュ・メモリーに比べて少なくとも2倍の記録密度を実現する――そんな研究に米Rice Universityが取り組んでいる。 グラフェンは、カーボン・ナノチューブと同様に、炭素原子が六角形のハニカム（蜂の巣）格子状に並んだ炭素材料の一種である。ただしグラフェンは炭素の単原子層によるシート状の材料であり、カーボン・ナノチューブのようにチューブ（円筒）状に形成する必要がなく、比較的容易に製造できる。すでに米IBM社などが、グラフェンを利用した超高速トランジスタの試作を進めている。これに対し今回、Rive UniversityのJames Tour教授率いる研究グループは、グラフェンによる2端子型のシンプルな構造
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「Siレーザー」をIntel社らが開発、Si共振器とInP発光層を接合 | EE Times Japan
米国の研究機関がイーサネット標準規格「IEEE 802.3ba」の適合テスト・サービスを開始 | EE Times Japan
静電気放電（ESD）対策の新動向、耐圧規格値引き下げの取り組み進む（前編） | EE Times Japan
エプソンが入力装置接続専用のUSBコントローラLSIを開発、ソフトを開発せずに利用可能 ― EE Times Japan
「万能レーザー実現へ」、2次高調波も和差周波数も取り出せる光学材料を米研究所が開発 ― EE Times Japan