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「シリコンもグラフェンも超える」、新たな半導体材料をスイスの大学が発表 | EE Times Japan
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「シリコンもグラフェンも超える」、新たな半導体材料をスイスの大学が発表 | EE Times Japan
R. Colin Johnson:EE Times (翻訳 田中留美、編集 EE Times Japan) スイスの大学であるÉcole Poly... R. Colin Johnson:EE Times (翻訳 田中留美、編集 EE Times Japan) スイスの大学であるÉcole Polytechnique Fédérale de Lausanne(EPFL)の研究グループは、モリブデナイト(二硫化モリブデン、MoS2)を半導体材料として利用できることを発見したと発表した。同グループによれば、MoS2を用いたトランジスタは現在主流の半導体材料であるSi(シリコン)を用いる場合に比べて消費電力が10万分の1と小さい上、トランジスタのサイズを大幅に小型化できるという(図1)。 EPFLによると、MoS2はバンドギャップを持たせることが可能なため、次世代の半導体材料としてグラフェンにも勝るという(参考記事:IBM社、グラフェンFETにバンドギャップを持たせることに成功)。 MoS2は地球上に豊富に存在する鉱物であり、これまでにも合金鋼や