混載MRAMは、書き換えエネルギー、書き換え速度ともに混載フラッシュメモリよりも向上する 出所:ルネサス エレクトロニクス ルネサス エレクトロニクス(以下、ルネサス)は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ(STT-MRAM、以下MRAM)を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12月11~15日に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「2021 IEDM」で発表されたもの。IoT(モノのインターネット)向けマイコンの混載MRAMに同技術を適用することで低消費電力化を狙う。なお、今回ルネサスが発表したのはMRAMそのものではなく、混載MRAMに適用するための回路技術である。 スロープパルス方式では印加電圧を高くしていくのでメモリセル電流も増加し、低抵抗状態への遷移を正確に検知できるようになる[クリックで拡大] 出所:ルネサス さらなる低消費電力化
![混載MRAMの書き換えエネルギーを72%削減、ルネサス(EE Times Japan) - Yahoo!ニュース](https://cdn-ak-scissors.b.st-hatena.com/image/square/4e1b2c3777838a1a8477f6b7ebc9a303cf121813/height=288;version=1;width=512/https%3A%2F%2Fnewsatcl-pctr.c.yimg.jp%2Fr%2Fiwiz-amd%2F20211222-00000023-it_eetimes-000-1-view.jpg%3Fexp%3D10800)