OIST、消費電力従来比1/10以下のEUVリソグラフィー半導体製造技術を提案
沖縄科学技術大学院大学(OIST)は7月29日、小型のEUV光源でも動作し、消費電力が従来の10分の1以下にまで減らせる、これまでの先端半導体製造の常識を覆す「EUV(極端紫外線)リソグラフィー」技術を提案したことを発表した。 同成果は、OIST 量子波光学顕微鏡ユニットの新竹積教授によるもの。査読前プレプリントが「arXiv」に掲載されている。 従来型(左)と、今回発表された新型EUVリソグラフィー(右)。従来型に比べて非常にシンプルな設計とすることで、高い安定性とメンテナンス性、高いコントラスト、マスク3D効果の減少などさまざまな利点が生まれた。また、わずか20Wの小型EUV光源で動作するため、消費電力がおよ1MWの従来技術に比べ、消費電力が100kW以下と10分の1となるという(c) 新竹積(OIST)(出所:OIST Webサイト) 現代社会を支える要素の1つである先端半導体は、極
キヤノンのNIL技術、EUVの「対抗馬」になれるのか
キヤノンのNIL技術、EUVの「対抗馬」になれるのか：当面はASMLの独走状態との予測も（1/2 ページ） キヤノンは2023年10月、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。業界の専門家たちは、キヤノンの同装置がASMLのEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置の“ライバル”となるのは、もっと先になるだろうとみている。 アナリストが米国EE Timesに語ったところによると、キヤノンが発売したナノインプリントリソグラフィ（NIL）半導体製造装置は、ASMLが世界最先端の半導体製造に向けてほぼ独占的に提供しているEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置に肩を並べるようになるまでには、何年もかかる見込みだという。 キヤノンは2023年10月、回路パターンが刻み込まれたマスクをウエハー上のレジストに押し付けて回路パターンを形成するNIL技術を用いた半導体製造装置「FPA-
CPU革命！ 裏面電源供給技術PowerViaのテスト実装に成功 インテル CPUロードマップ (1/3)
6月11日から京都で開催されていた2023 Symposium on VLSI Technology and Circuitにおいて、インテルは基板裏面から電源を供給する配線方式「PowerVia」関連の内容を2つ発表した。 1つはT1-1の“E-Core implementation in Intel 4 with PowerVia(Backside Power) Technology”、もう1つがT6-1の“Intel PowerVia Technology: Backside Power Delivery for High Density and High-Performance Computing”である。どちらも似てはいるのだが、後者がPowerVia全体の発表で、前者はこれをIntel 4プロセスに移植した上で、E-coreに実装してみた結果を示したものである。 実はこの件に関
半導体ウエハー洗浄時のナノ構造倒壊、北大などが撮影に成功した意義（ニュースイッチ） - Yahoo!ニュース
北海道大学の木村勇気准教授らはSCREENホールディングスと共同で、半導体ウエハーの洗浄時に微細構造が壊れる様子を撮影することに成功した。透過型電子顕微鏡の真空中で液体に濡れたナノ構造体を乾燥させる。わずかに残った水が表面張力で構造物を倒壊させた。先端半導体製造プロセスの課題解決につながる。 半導体の洗浄では洗浄液を表面張力の小さい2―プロパノール（IPA）に置換してから乾燥させる。それでもシングルナノ（ナノは10億分の1）と呼ばれる製造プロセスではナノ構造の倒壊が起きていた。そこで電子線を透過しやすい薄膜で溶液セルを作製し、液体とナノサイズの柱が林立するナノ構造体を電顕の中に入れて乾燥過程を観察した。 すると蒸発が進むと液面は下がるが、柱同士の隙間に表面張力で液体が残る現象が観察された。さらに蒸発が進むと隙間にのみ液体が残る。最終的にはIPAで洗い流しきれなかった水が柱と柱の先端を接着す
IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」
米IBMは12月14日（現地時間）、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新たな設計アプローチで、2021年には崩れると見られていたムーアの法則を今後何年にもわたって維持できるようになる可能性があるとしている。 VTFETは、ウェハの表面にトランジスタを重ねるfinFETなどと異なり、トランジスタをウェハに垂直に層状に重ね、電流をウェハ表面に垂直に流す設計。この構造で、トランジスタのゲート長、スペーサーの厚さ、接点サイズの物理的制約を緩和できるとしている。FinFET設計と比較して、「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85％削減する」という。
ムーアの法則は終わらない、imecが1nm未満プロセスに向けたロードマップを公開
ベルギーimecは2021年11月、日本向け年次技術紹介イベントである「ITF(imec Technology Forum) Japan 2021」を開催し、日ごろの研究成果と今後の計画を発表した。従来は、都内のホテルで開催されてきたが、コロナ禍を踏まえ、バーチャルオンライン形式で行われた。 図1 ITF Japan 2021の講演の様子 (著者によるスクリーンショット) 「ムーアの法則」は、新構造・材料・3次元化で延命へ 「ムーアの法則」が限界を迎えたという悲観的な指摘がすでに前世紀の終わりごろから出回っている。だが、imecは、半導体産業の成長の原動力ともいえる「ムーアの法則」を終わらせないためにプロセス微細化による集積度の向上に懸命に取り組んできた。そして、2020年に至るまで過去50年以上にわたり「ムーアの法則」は継続していると主張している。今後は、超微細化に加えて、新たなデバイス
半導体向け2インチダイヤモンドウェハの量産技術、新原理で実現
アダマンド並木精密宝石は9月9日、新原理のダイヤモンド結晶成長方法を用いることで、半導体デバイスで求められる品質を実現した2インチダイヤモンドウェハの量産技術を開発したことを発表した。 同社と佐賀大学理工学部の嘉数誠 教授は、これまで共同研究として、ダイヤモンド層の結晶成長の途中で、数μm径で数十μmの長さのダイヤモンドの針(ニードル)を十μm間隔で縦横に並べた層構造を作製することができる独自手法「マイクロニードル法」を開発。1インチダイヤモンドウェハ(商品名:KENZAN Diamond)を製造し、同ウェハ上に、新たな動作原理に基づくダイヤモンド半導体パワーデバイスを作製し、高出力電力特性が得られたことを2021年4月に報告していた。 しかし同手法では、産業応用に必要とされる2インチには届かないことや、マイクロニードル法の製造工程が複雑であるため、製造コストが高くなってしまうことが課題で
世界中の半導体製造業者が頼る露光装置メーカー「ASML」はどんな会社なのか
半導体を注文して納品されるまでにかかるリードタイムが20週間を超えるなど、半導体不足は悪化する一方です。最先端の半導体を製造するには1台が160億円以上する非常に高価な製造装置「EUV」が必要ですが、EUV装置の供給は「ASML」という時価総額30兆円以上のオランダの会社がほぼ独占しています。ASMLがどんな企業なのかについての解説を、Twitter上でTrungTPhanさんが行っています。 ASML is the most important company you've never heard of. The $300B+ Dutch firm makes the machines that make semiconductors. Each one costs $150m and access to them are a huge geopolitical flashpoint.
産総研、タンタル層の挿入で「電圧駆動磁気抵抗メモリ」の磁気安定性を改善
産業技術総合研究所(産総研)は7月21日、原子層レベルで制御されたタンタルを用いることで、「電圧駆動磁気抵抗メモリ」の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発したと発表した。 同成果は、産総研 新原理コンピューティング研究センター 不揮発メモリチームの山本竜也研究員、同・野﨑隆行研究チーム長らの研究チームによるもの。詳細は、無機材料を扱う学術誌「Acta Materialia」にオンライン掲載される。 次世代不揮発メモリとして期待されるMRAMは、膜厚が数nmの磁石/絶縁層/磁石からなる構造の「磁気トンネル接合(MTJ)素子」からなる記憶素子への情報書き込みに電圧駆動MRAMを使用すれば、現在主流のSTT-MRAMと比べてさらに数桁駆動電力を下げることが可能となると考えられており、その実用化に向けて、磁気安定性および制御効率のさらなる改善が進められている。 産総研でも長年にわたって研究開発が
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東大、次世代パワーエレクトロニクス用材料「AlGaN」の安価/高品質な製造手法を開発
VLSIシンポジウムで、2nm以降のデバイスを支えるFETや配線、メモリなどの革新技術
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消費電力50分の1 次世代メモリー「MRAM」普及へ - 日本経済新聞
VLSI技術シンポジウム、次世代のトランジスタ技術と不揮発性メモリ技術を展望
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