キヤノンのNIL技術、EUVの「対抗馬」になれるのか

キヤノンのNIL技術、EUVの「対抗馬」になれるのか：当面はASMLの独走状態との予測も（1/2 ページ） キヤノンは2023年10月、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。業界の専門家たちは、キヤノンの同装置がASMLのEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置の“ライバル”となるのは、もっと先になるだろうとみている。 アナリストが米国EE Timesに語ったところによると、キヤノンが発売したナノインプリントリソグラフィ（NIL）半導体製造装置は、ASMLが世界最先端の半導体製造に向けてほぼ独占的に提供しているEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置に肩を並べるようになるまでには、何年もかかる見込みだという。 キヤノンは2023年10月、回路パターンが刻み込まれたマスクをウエハー上のレジストに押し付けて回路パターンを形成するNIL技術を用いた半導体製造装置「FPA-