メモリの帯域幅と密度の制限を拡張する：サムスン電子のCXLメモリーエキスパンダー | サムスン半導体日本
近年、人工知能、機械学習、クラウドコンピューティングなどの技術発展により、大量のデータが生成されています。データ駆動型テクノロジーの台頭で、より強力なコンピューター ハードウェア アーキテクチャの必要性も生じています。データ集約型アプリケーションの処理と性能要求を処理できる強力なプロセッサーを製造するために、ますます多くのコアがシングルプロセッサーチップに統合されています。しかし、メモリ帯域幅と密度はCPUコア数の増加に遅れをとっており、プロセッサーとメモリーの性能の間にギャップが生じています。 メモリー密度と帯域幅に対する飽くなき需要は、既存のメモリテクノロジーの限界をいっそう高めています。従来のDRAM設計では、メモリー容量のスケーリングが特定の範囲を超えて制限されるため、まったく新しいメモリーインターフェース技術が必要になります。さらに、AIとビッグデータの台頭により、さまざまな種類
サムスン電子、業界初のCXL2.0対応CXL DRAMを開発 | サムスン半導体日本
サムスン電子、業界初のCXL2.0対応CXL DRAMを開発 先進のCXL2.0インターフェースをベースとする128GB CXL DRAMを今年から量産開始、次世代メモリーソリューションの商用化促進 サムスン電子は今後もグローバルデータセンター、サーバ、チップセットメーカーとの協力を通じ意欲的にCXLエコシステムをサポート 大韓民国、ソウル特別市－2023年5月12日－先進半導体技術の世界的リーダーであるサムスン電子株式会社は本日、Compute Express Link™ (CXL™) 2.0に対応した業界初の128ギガバイト(GB)DRAMを開発すると発表しました。サムスン電子はインテルと密接に協力し、Intel® Xeon®プラットフォームにより、この画期的な開発に成功しました。 2022年5月にサムスン電子がCXL1.1ベースのCXL DRAMを業界で初めて開発したことを足場とし、
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Samsung, SK Hynix join forces with foreign rivals to win AI chip war - KED Global
