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電子振動周期860アト秒、GaN半導体で初観測
電子振動周期860アト秒、GaN半導体で初観測:周波数はペタヘルツへ、半導体の新機能引き出す(1/2 ペー... 電子振動周期860アト秒、GaN半導体で初観測:周波数はペタヘルツへ、半導体の新機能引き出す(1/2 ページ) NTTと東京理科大学は2016年4月、窒化ガリウム(GaN)半導体において、アト秒時間で振動する電子運動を観測することに初めて成功した。観測した振動周期は860アト秒で、周波数は1.16PHz(ペタヘルツ)に相当する。 NTTと東京理科大学は2016年4月、窒化ガリウム(GaN)半導体において、アト秒(10-18秒)時間で振動する電子運動を観測することに初めて成功したと発表した。観測した振動周期は860アト秒で、対応周波数は1.16PHz(ペタヘルツ)となる。固体物質中で観測された振動現象としては過去最高の周波数だという。 研究グループは、単一アト秒パルスを用いてGaN半導体内部の光誘起に伴う電子の振動現象(双極子振動)を計測した。実験では、近赤外フェムト秒パルス(光子エネルギー