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中国陝西省西安市の発電所爆発によるPC用メモリーへの影響 | Ark Tech and Market News Vol.300602
メモリーバイヤーも兼任する筆者は、最初にこのニュースを見た時に「間接的被害」、「V NAND(3D NAND)製... メモリーバイヤーも兼任する筆者は、最初にこのニュースを見た時に「間接的被害」、「V NAND(3D NAND)製造工場」などの要素からDRAMは関係ない、と軽くスルーしていたが少々甘かった様だ。 海外マーケットでは6月22日夜の時点で多くの安値系DRAMは価格を更新、もしくは品切れとなりDRAM価格の上昇が不可避な状況である事が判明してきた。 実際に事故後の週明けに起こったアクションといえば価格が即上がる、ではなく、まず納期が未定、もしくは販売不可という製品が増加、つまりこの時点では売り手側は様子見に入った事になる。 その翌日より買いがモジュールメーカーに殺到、これはB to Bレベルだが強い引き合いにモジュールメーカーは対応に追われ一部では受注を停止するなどにも発展、現状に至る。 しかし今回、何故事故とは直接的に関係の無いDRAMがここまでリニアに影響するのか、それには2つの要因がある、
2016/06/24 リンク