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磁性半金属の特異な磁性をゲート電圧で変調することに成功 ―スピントロニクスへの応用展開に期待―
プレスリリース 研究 2024 2024.04.15 磁性半金属の特異な磁性をゲート電圧で変調することに成功 ―スピ... プレスリリース 研究 2024 2024.04.15 磁性半金属の特異な磁性をゲート電圧で変調することに成功 ―スピントロニクスへの応用展開に期待― 発表のポイント ◆ 磁性半金属と呼ばれる特殊な強磁性体において、強磁性転移温度、磁気異方性、磁気輸送特性などの性質を、ゲート電圧で変調することに成功しました。 ◆ 強磁性転移温度の大幅な上昇、磁気異方性の完全な切り替えなどの劇的な変化が観測され、その起源として、半金属的な電子構造と磁性の強い結合が示唆されました。 ◆ 本研究の結果を利用することで、磁性半金属を主役とする新原理スピントロニクスデバイスへの応用展開が期待されます。 本研究における磁性のゲート制御の概念図と、対応する電子構造 概要 東京大学大学院工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センターの中野匡規特任准教授（研究当時、研究当時：理化学研究所（理研）創発物性科学研究センター創
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