SiCのMOSFETについて｜FoM（性能指数）で比較｜WTI

みなさん、こんにちは。 第二技術部電源設計課の富永です。 今回が、2回目の登場になります。 前回のブログ『SiCデバイスを使って電源を高効率化してみました』では、SiCのダイオードについてお話しさせていただきましたので、今回はMOSFETについて、お話ししたいと思います。 （当社の「パワーモジュール」評価サービスはこちら／カスタム電源設計サービスはこちら） SiC MOSFETについては、社長ブログ「いまさらなんですが、SiCって何がいいのでしょうか？」で紹介しているとおり、Siと比べても高い耐圧を持ちながら、抵抗も小さいという特徴を持っています。 この特徴を活かして、高耐圧のIGBTをSiCのMOSFETに置き替える製品が多く見られます。 IGBTは、高耐圧化してもON電圧（コレクタ－エミッタ間電圧）が低いという特徴があるため、高電圧、大電流の産業用途などでよく使用されています。一方で、