MTJ | 東北大学 電気通信研究所 深見･金井研究室

(かなりざっくりとした説明) 学部・修士の間(2015-2018)は磁気トンネル接合(MTJ : Magnetic tunnel junciton)素子に関する研究をしていました。(このページはイントロのようなもの) MTJとはナノメートルスケールの薄い絶縁層を二つの強磁性層で挟んだ積層構造で構成され。磁化方向が反転しやすい強磁性層と反転しにくい強磁性層を有し、これらをそれぞれ自由層、参照層と呼びます。MTJ素子の抵抗値は自由層磁化と参照層磁化の相対角度によって決まり(トンネル磁気抵抗(TMR)効果)、二層の磁化方向が平行のときに最小値、反平行のときに最大値を取ります。 ↑MTJの概略図。2つの磁化方向が平行(左)だと低抵抗、反平行(右)だと高抵抗となります。 この抵抗値の大小をbit情報の"1"と"0"に対応させることで、メモリとして応用することができます。加えて磁化が平行か反平行かは電

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磁気トンネル接合(MTJ : Magnetic tunnel junciton)