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財団法人新機能素子研究開発協会委託調査 ＧａＮパワー用結晶材料・デバイスに関する技術調査 報告書（要約） 平成１９年３月３０日 株式会社 旭リサーチセンター 東京都千代田区内幸町 1−1−1 帝国ホテルタワー17 階 Tel 03 - 3507 - 2406 (代) 目 １． ２． 次 目的 ............................................................................................................................ 1 高速・パワーデバイス用半導体の特性比較 ............................................................... 2 半導体材料の基本特性比較 .................