美味しくなって新登場! 3Dモデルの作成やゲームに関連したこと、その他自分の趣味などの体験を無駄に長い文章で公開しています(汗)。
最近、ディーンズコネクタの仕様の違いというか、誤差のレベルにうんざりしてきたので新しいコネクタを試す事にしました。 マイクロディーンズで一体何種類あるんだよ。 それに、長らくディーンズコネクタを使ってきましたが、オスメスが刺さったり刺さらなかったり、刺さっても端子の間に隙間ができたり、刺さってるのに接触不良起こしてたり…。 もう、うんざりです。 というわけで、今回試すのはXT30というコネクタで、RC系ではヨーロピアンに続いてメジャーなコネクタであるXT60の小型版です。 以前、XT60をエアソフトガン用に買った事があるのですが、でか過ぎて使い勝手が悪く、今では変換コネクタの中継役としてしか使っていません。 ちなみに、AA−12を使って阿呆みたいな耐久テスト(?)をやった時に使ったバッテリー(nano-tech 11.1V 2200mAh 65-130C LiPo)のコネクタはXT60でし
(別の場所から記事移動してきました*1) だいぶ古いものらしいのだが、「400個 ¥500」という ひと山なんぼ的な価格で売ってたのでついうっかりとぽちってみた。 http://extparts.com/products/detail.php?product_id=332 返品・交換不可の「在庫限り」特価品なので、興味のある方はお早めに。 こんな CRD 、実物は初めて見た*2。…というか、TO-92 パッケージの 2本足なんて、いまや レア中のレアじゃないか。 現状(2011年現在)、日本で CRD というとほぼ SEMITEC(旧社名:石塚電子*3)一択。精度はいいが、なにぶん割高。数mA クラスのものでも普通に買うと 1個¥50〜¥120ぐらいする。秋月電子で 5個以上買うと 1個あたり ¥30、たぶんこのあたりが通常小売では最安。 石塚…ではなく SEMITEC の CRD 。白い
車載向けのスイッチ機構に使う接点の材質として、金メッキ(フラッシュメッキ)を考えています。しかし、DC12V 1~650mA(抵抗負荷)の仕様環境下での接点耐久性が気になります。金メッキを使用した場合、この条件下で不具合が生じる可能性はあるでしょうか? 金メッキを考えている予定の接点は、DC12V 1~650mA(抵抗負荷)の仕様環境下で使用されます。しかし、金メッキの接点耐久性についての情報が必要です。この条件下で金メッキを使用することによって生じる問題や不具合があるのでしょうか? 車載向けのスイッチ機構に使用する接点として、金メッキ(フラッシュメッキ)を考えています。ただし、DC12V 1~650mA(抵抗負荷)という仕様環境下での接点耐久性について心配です。金メッキを使用すると、この条件下で問題が生じる可能性はあるのでしょうか?
前回の記事では、雷サージ対策部品の種類、分類について紹介しました。 今回は雷サージ対策部品のうち、「バリスタ」と「アレスタ」の使い分けについて考えてみます。 動画はコチラ↓ バリスタとは まずは「バリスタ」とは何かというとところから。 バリスタは Variable Resistor (バリアブル レジスタ)の略で、電圧によって抵抗値が可変する半導体素子の一種です。 バリスタの特性 出典:JEITA 上図においては、一定の電圧(200V)を超えるまでは電流がほとんど流れません。 しかし、一定の電圧(200V)を超えると抵抗値が急激に低下し、電流が流れはじめるとともに、電圧は一定に保たれます。 バリスタ電圧 バリスタ電圧の定義は、1mAの「電流」を流すときにかかる両端にかかる「電圧」です。 回路電圧によってバリスタを選定しやすいように、各メーカーからはバリスタ電圧ごとに部品がシリーズ化されてい
定格電圧ブリッジダイオードの必要定格電圧\(V_{RATED}\)は『入力AC電圧の最大値\(V_{INRMS (MAX)}\)のピーク値\(V_{INPEAK(MAX)}\)』にディレーティングを考慮して決定します。 上記の条件の場合、入力AC電圧の最大値のピーク値\(V_{INPEAK(MAX)}\)は以下の値となります。 \begin{eqnarray} V_{INPEAK(MAX)}&=&V_{INRMS(MAX)}×\sqrt{2}\\ &=&264×\sqrt{2}\\ &{\approx}&373.3[V] \end{eqnarray} 上記のピーク値\(V_{INPEAK(MAX)}\)に対してディレーティングを考慮します。ディレーティングを80%とした場合、必要定格電圧\(V_{RATED}\)は以下の値となります。 \begin{eqnarray} V_{RATED}&
バイポーラトランジスタにはベースに直列に入っている『ベース抵抗』とベースとエミッタ間にある『ベースエミッタ間抵抗』があります。 この抵抗について詳しく説明します。 『ベース抵抗』と『ベースエミッタ間抵抗』について 上図のようにバイポーラトランジスタには『ベース抵抗RB』と『ベースエミッタ間抵抗RBE』が接続されています。 回路設計者にありがちなのが、設計する時に『ベース抵抗RB』と『ベースエミッタ間抵抗RBE』を抜かしてしまうことです。 この抵抗には接続されている意味がちゃんとあるのです。この抵抗がない場合、トランジスタが壊れたり、オフ状態の時に誤動作してオンしてしまう可能性があります。 今回は、『この抵抗はなぜ接続されているの?』『最適な値は何Ω?』など説明します。 ベース抵抗がある理由 『ベース抵抗RB』がある理由は大きく2つあります。 トランジスタや駆動回路(IC等)の保護のためスイ
まずはこちらをご覧ください!使い方・選び方をまとめています。 まとまった数量でのご購入や卸売りをご希望の企業様、および特注品(オーダーメイド)をご希望のお客様へ 鉄道模型Nゲージジオラマの夜景演出製作例をご紹介! ⇒ 天の川のミニジオラマ編 ⇒ 花火大会ミニジオラマ編 ⇒ 小型レイアウト夜景紹介編 ⇒ レイアウトLED組込み編 ⇒ ストラクチャー編 ⇒ Nゲージミニジオラマ編 ⇒ ミニジオラマ蛍の光編 ⇒ ミニチュア・情景小物編 ⇒ Nゲージミニカー編 ⇒ バス・トラック編 ⇒ バス・トラックのある情景編 初心者の方のためのジオラマの作り方をご紹介! ⇒ 「天の川のミニジオラマ」作り方《前編》 ⇒ 「天の川のミニジオラマ」作り方《後編》 ⇒ 「花火大会のミニジオラマ」作り方《前編》 ⇒ 「花火大会のミニジオラマ」作り方《後編》 ⇒ ミニジオラマ「昭和の田舎の夏休み」作り方編 ⇒ ジオラマの
FET & CRD選別冶具(改訂版)はこんな回路 「FET & CRD選別冶具(改訂版)」の回路をぺるけさんのサイトから引用させて頂くと、以下の通り。 図 ぺるけさん設計のFET & CRD選別冶具(改訂版) 引用元 http://www.op316.com/tubes/toy-box/tester2.htm この選別冶具はN-chのFET専用だ(その後、この回路を参考にワテ独自のP-ch版も作ってみた。解説記事有り)。 特徴としては、ツェナーダイオードとトランジスタから成る定電流回路があるが、ロータリースイッチS3でエミッター抵抗値を切り替えると、ドレイン電流値を三段階に切り替えられる。 ぺるけさんの設計では、 0.75mA 1mA 2mA の三種類の電流値に設定出来るように三つの抵抗R1, R2, R3の値を事前に決めておく。 このようにしておくと、例えば1mAのドレイン電流が流れてい
ハイサイドスイッチとは、電源と負荷の間に入れるスイッチ素子(MOSFET)のことです。 電源のオン/オフや、負荷への電流供給/切断を制御する役割を持ちます。 逆に、ローサイドスイッチは負荷とGNDの間に挿入するスイッチ素子です。 ハイサイドスイッチ回路 ハイサイドスイッチは、基本的にはPch MOSFETを使って構成します。 Nchの場合、ゲートに入力電圧(VIN)+ゲートしきい値電圧(VTH)を印加する必要があり、入力電圧より高い電圧が必要になりますが、Pchをオンさせる場合はVINーVTHと、入力電圧より低い電圧で済むためです。 ※後述しますが、昇圧回路を使ってゲート電圧をVIN以上に持ち上げることでNch MOSFETを使うことができるハイサイドスイッチICもあります。 下記のような使用条件の場合、ハイサイドスイッチを駆動するためのコントローラIC(ドライバIC)が必要になる場合があ
電流が流れだす動作(プッシュ)と流れ込む動作(プル)を交互にするので、プッシュプルと呼ばれます。 別名、トーテムポール回路とも呼ばれます。 トーテムポールは、アメリカ先住民族が作った柱状の木造彫刻で、トランジスタを2段にした構成が似ていることから来ています。 昔は小学校の校庭によくあったので、私はイメージがつくのですが、今はこの例えで分かるのでしょうかね? 入力電圧Vin=Hの時、NPNがオン、PNPがオフするので、出力電圧VoutがHになります。 Voutから負荷に電流が流れます。 (負荷への供給源(source)になるのでソース電流と呼びます) 入力電圧Vin=Lの時、NPNがオフ、PNPがオンするので、出力電圧VoutがLになります。 Voutに負荷から電流が流れ込みます。 (キッチンのシンク(sink)のように流れ込むのでシンク電流と呼びます) プッシュプル回路の利点と用途 利点で
ゲート駆動回路(ゲートドライバ回路)とはMOSFETのゲートに電圧を印加する回路です。 このゲート駆動回路は、抵抗1個で構成された基本的な回路から、ダイオードやバイポーラトランジスタを用いた回路など様々な種類があります。 この記事ではゲート駆動回路の『種類』と『特徴』について詳しく説明します。 抵抗1つで構成された基本的なゲート駆動回路 最も基本的で簡単なMOSFETのゲート駆動回路です。ターンオンとターンオフに同じ抵抗が使用されています。 このゲート駆動回路はMOSFETの入力容量を十分に充電できるドライブ能力を持つ電源ICが必要になります。電源ICによってドライブ能力が異なるため、電源ICのデータシートを見て最大ピーク駆動電流を確認してください。ドライブ能力がない電源ICの場合、MOSFETは低速でオンしてしまいます。 また、ゲート抵抗RGはMOSFETのスイッチングスピードやスイッチ
VVVF制御の話をするうえで、 よく話題に上がるのが、 「GTO」と「IGBT」という言葉です。 この「GTO」やら「IGBT」って、なんのことでしょう? 前回の「電車の制御方式 VVVF制御方式」では、 スイッチングを行って電流を切ったり入れたりする部分を ただのスイッチで表していましたが、 その「スイッチ」として機能するのが「GTO」や「IGBT」と呼ばれる「素子」です。 では、これら「GTO」「IGBT」とは何物でしょうか? これは、ともに「半導体素子」と呼ばれるものです。 決して三菱自動車が発売していたスポーツカーではありません。 V6ツインターボで4WDに4WS、前後可変スポイラー付けてた無茶苦茶なマシン。 こういうバブリーなマシン、けっこう好きです。 閑話休題。 半導体素子(半導体)については、こちらの項を参照してください。 さて、そのGTO・IGBTとはどんなものなのでしょう
お疲れ様です。 桜庭裕介です。 今日は「機械科目」の中でも敬遠されがちな「パワーエレクトロニクス」の分野を解説していきます。 サイリスタ、GTO、IGBTの違いから学ぶ 本記事では各素子の説明もするが、その前に「特徴の違い」から解説する。 ネットで検索すると、それぞれの素子の説明は大量に出てくるが、その違いについてはまとまった資料がなかった。今回紹介する素子の特徴は正直理解しづらいし、何が何だか分からなくなるのだが、覚えやすい方法がある。 「歴史を追う」という方法だ。 ちょっとした工夫だが、順を追って覚えることでそれぞれの素子の特徴が覚えやすくなるのでオススメだ。 仕事上でも、私生活においても活用する機会があるので、この記事でまとめあげておくことにした。 先日配信した記事の補足にもなる。 strategy.macodenken.com 素子の特徴の違い この記事で紹介する素子「サイリスタ」
今回のテーマは『抵抗によるマイコンの保護』です。 抵抗によるマイコンの保護回路 以下回路が抵抗によるマイコンの保護回路です。 抵抗だけの非常にシンプルな回路のため見る機会が多い回路かもしれせん。 Rpの抵抗がマイコン保護用の抵抗です。 サージ・ノイズによる破壊や電源(Vcc)やGNDとの短絡による破壊を防止します。 抵抗の選定方法 一般的には100Ω程度を接続することが多いため100Ωの抵抗を選定する際の手順を紹介します 短絡時に流れる電流を算出する 短絡時に流れる電流値を算出します。 必要な情報は『電源電圧』『マイコンの出力電圧』です。 ◆電源短絡時に流れる電流(IOHS) IOHS=電源電圧÷Rp ◆GND短絡時に流れる電流(IOLS) IOLS=マイコンの出力電圧÷Rp 抵抗に印加される電圧と電力を算出する 上記で求めた短絡電流と抵抗値から印加電圧と印加損失を算出します。 ◆抵抗に印
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