「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術：福田昭のデバイス通信（93）（1/2 ページ） Synopsysの講演では、5nm世代のトランジスタのシミュレーション評価結果が報告された。この結果からはFinFETの限界が明確に見えてくる。5nm世代に限らず、プロセスの微細化が進むと特に深刻になってくるのが、トランジスタ性能のばらつきだ。 5nm世代の設計と製造を最適化する 半導体製造装置と半導体製造用材料に関する北米最大の展示会「SEMICON West 2016」が7月12～14日に米国カリフォルニア州サンフランシスコのモスコーンセンター（Moscone Center）で開催された。12日には「FORUM」（フォーラム）と称する併設の講演会があり、専門テーマに関する解説や展望などを数多くの研究者や技術者、経営者などが発表した。 中でも興味
