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「微細化において最も重要なのが、誘電体材料の開発を含めた材料科学だ。今後は材料科学のイノベーションが微細化の進展を左右するだろう」とギル氏は語り、2nm以降におけるムーアの法則の継続は材料科学次第だとの見解を示した。「我々は、さらに微細化の世代を進められると確信している」(ギル氏)。 ナノシートを構成するシリコン層の厚さは5nm、ゲートの幅(ゲート長)は12nmである。なお現在の半導体製造技術において「2nmプロセス」「5nmプロセス」などの呼称は、技術の世代を示す符丁であり、特定箇所の長さを示すものではない。ゲートのしきい値電圧を変えることで「演算性能重視のチップからモバイル用省電力チップまで製造できる」(ギル氏)。 2nmプロセスで製造した半導体チップは「指の爪ほどの大きさのチップに500億個のトランジスタを詰め込める」(ギル氏)。7nmプロセスの場合は200億個ほど、5nmプロセスで
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