消費電力50分の1 次世代メモリー「MRAM」普及へ - 日本経済新聞
電子が持つ磁石の性質（スピン）を利用した「磁気記録式メモリー（MRAM）」が普及期を迎えている。東北大学の研究を起点に、ソニーグループなどが技術開発を進める。半導体の微細化に限界が近づく中、MRAMは微細化とは異なる手法で従来の50分の1以下の消費電力や高速動作を実現。人工知能（AI）や自動運転への応用も期待される。「技術の『死の谷』を越えた」。東北大の遠藤哲郎教授はMRAMの技術開発の現状を
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電子が持つ磁石の性質（スピン）を利用した「磁気記録式メモリー（MRAM）」が普及期を迎えている。東北大学の研究を起点に、ソニーグループなどが技術開発を進める。半導体の微細化に限界が近づく中、MRAMは微細化とは異なる手法で従来の50分の1以下の消費電力や高速動作を実現。人工知能（AI）や自動運転への応用も期待される。「技術の『死の谷』を越えた」。東北大の遠藤哲郎教授はMRAMの技術開発の現状を
Samsung、MRAMベースのインメモリコンピューティングを発表：低消費電力AIチップ実現に向け Samsung Electronicsは2022年1月13日（韓国時間）、磁気抵抗メモリ（MRAM）のイノベーションを発表した。同社は、「単一のメモリネットワーク内でデータストレージとデータコンピューティングの両方を実行できる、世界初のMRAMベースのインメモリコンピューティングを実現した。このMRAMアレイチップは、低消費電力AI（人工知能）チップの実現に向けた次なるステップだ」と主張している。 Samsung Electronicsは2022年1月13日（韓国時間）、磁気抵抗メモリ（MRAM）ベースのインメモリコンピューティングのデモを発表した。同社は、「単一のメモリネットワーク内でデータストレージとデータコンピューティングの両方を実行できる、MRAMベースのインメモリコンピューティング
関連キーワード DRAM | SSD | フラッシュメモリ | SCM 「ストレージクラスメモリ」は不揮発性で永続的にデータを保持でき、コンピュータのメインメモリに利用される「DRAM」（Dynamic Random Access Memory）に匹敵するデータ読み書き速度を実現したメモリだ。メインメモリとストレージの双方に使えるストレージクラスメモリは、前編「『ストレージクラスメモリ』とは？ 重要技術の『ReRAM』から理解する」で紹介した「抵抗変化型メモリ」（ReRAM：Resistive Random Access Memory）だけでなく、幾つかの種類の技術や製品が開発されている。 併せて読みたいお薦め記事 いまさら聞けないメモリの基礎知識 いまさら聞けない「フラッシュメモリ」と「DRAM／SRAM」の違いは？ 期待のストレージクラスメモリ、Z-NAND、3D XPoint、MRA
Samsung Electronicsは、MRAMベースのインメモリコンピューティングに関する論文が「Nature」に掲載されたことを発表した。 論文タイトルは「A crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing(インメモリコンピューティング用の磁気抵抗メモリデバイスのクロスバーアレイ)」で、次世代の人工知能(AI)チップ用にメモリとシステムLSIを統合する取り組みが紹介されている。 この研究は、Samsungの中央研究所にあたるSamsung Advanced Institute of Technology(SAIT)が、Samsung Electronicsのファウンドリ事業部門Samsung FoundryおよびSamsung半導体部門の研究所であるSemiconductor R＆D
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2020年10～12月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2020年10～12月）」をお送りする。
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村田製作所が全固体電池を量産へ／ソニー製STT-MRAMがSSDに
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