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ドイツのデータ復旧会社であるCBLが、microSDカードやUSBメモリの品質が低下しているという調査結果を発表しました。その原因はメーカーが品質管理の段階で廃棄したNANDフラッシュメモリが横流しされ、流用されているケースが増えているからだとのことです。 Unzuverlässige Flash-Speicher - CBL Datenrettung https://www.cbltech.de/pressezentrum/unzuverlaessige-flash-speicher Report reveals decline in quality of USB sticks and microSD Cards | TechSpot https://www.techspot.com/news/101774-report-reveals-decline-quality-usb-stick
半導体製造大手のMicronが、232層の3DNANDフラッシュメモリの量産に成功したと発表しました。3D NANDフラッシュメモリが200層を超えたのは史上初で、データ転送速度は従来から50%高速化し2.4Gbit/sに到達しています。 First to Market, Second to None: the World’s First 232-Layer NAND https://www.micron.com/about/blog/2022/july/first-to-market-second-to-none-the-worlds-first-232-layer-nand Micron Is First to Deliver 3D Flash Chips With More Than 200 Layers - IEEE Spectrum https://spectrum.ieee.o
アメリカの半導体製造企業Micron Technologyが、世界初の「176層の3D NANDフラッシュメモリ」を出荷すると発表しました。 176-Layer NAND https://www.micron.com/products/nand-flash/176-layer-nand Doing What Can’t Be Done (Again) – Micron Ships 176-Layer NAND https://www.micron.com/about/blog/2020/november/doing-what-cant-be-done-again-micron-ships-176-layer-nand Micron Announces 176-layer 3D NAND https://www.anandtech.com/show/16230/micron-announce
高層化の継続で、製造コストを爆下げする3D NANDフラッシュ:福田昭のストレージ通信(177) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(4)(1/2 ページ) 今回からは、半導体メモリのアナリストであるMark Webb氏の「Flash Memory Technologies and Costs Through 2025(フラッシュメモリの技術とコストを2025年まで展望する)」と題する講演の概要をご紹介する。 フラッシュメモリの技術とコストを2025年まで展望 フラッシュメモリとその応用に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」が2020年11月10日~12日に開催された。FMSは2019年まで、毎年8月上旬あるいは8月中旬に米国カリフォルニア州サンタクララで実施されてきた。COVID-19(新型コロナウイルス感染症)の世
3D NANDフラッシュのGバイト単価は2025年に2米セント未満へ:福田昭のストレージ通信(182) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(9) 今回は3D NANDフラッシュの製造コスト(記憶容量当たり)が低下する様子を2025年までHDDと比較しながら予測するとともに、事業環境の動向をまとめて示す。 HDDに近づく3D NANDフラッシュのGバイト単価 フラッシュメモリとその応用に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」が2020年11月10日~12日に開催された。FMSは2019年まで、毎年8月上旬あるいは8月中旬に米国カリフォルニア州サンタクララで実施されてきた。COVID-19(新型コロナウイルス感染症)の世界的な大流行(パンデミック)による影響で、2020年のFMS(FMS 2020)は開催時期が3カ月ほど延期
はじめに NANDフラッシュメモリを不揮発性メディアとして採用したSSD(以降、単にSSDと記載します)の寿命を考える際、NANDフラッシュメモリの寿命を抜きに考えることはできません。 「NANDフラッシュメモリの寿命」と聞いて誰もがまず思い浮かべるのは、やはりメモリセルの信頼性だと思います。NANDフラッシュメモリのメモリセルの信頼性としては、大きく「書き換え回数」と「読み出し回数」の2つが重要ですが、一般的には「書き換え回数」が注目されます。実際、NANDフラッシュメモリの寿命を左右する要因の中で最も大きいのは「書き換え回数」です。 ここで言う「書き換え回数」とは、NANDフラッシュメモリにおける「(ブロックの)Erase (Program)回数」のことになります。 しかし、「保証書き換え回数」と言った場合、これは実は「Erase (Program)操作が可能であることを保証する回数」
中国の3D NANDフラッシュメーカー「YMTC」の現状:福田昭のストレージ通信(178) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(5)(1/2 ページ) 今回は、中国の3D NANDフラッシュベンチャーであるYMTC(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.)の現状に関する講演部分を紹介する。 中国の3D NANDフラッシュ開発は2014年10月に始まった フラッシュメモリとその応用に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」が2020年11月10日~12日に開催された。FMSは2019年まで、毎年8月上旬あるいは8月中旬に米国カリフォルニア州サンタクララで実施されてきた。COVID-19(新型コロナウイルス感染症)の世界的な大流行(パンデミック)による影響で、昨年(2020年)のFMS(FM
SK hynix(本社:韓国)は2020年10月20日、Intel Corporation(本社:アメリカ カリフォルニア州)のNANDフラッシュメモリ事業を90億ドルで買収すると発表した。 SK hynixは2020年10月20日、IntelのNANDフラッシュメモリ事業を90億ドルで買収する契約を締結したと発表した。 今後は2021年後半に予定されている政府による承認の取得を進め、承認後に70億ドルを支払い、NAND SSD事業や大連にあるNANDフラッシュメモリ製造施設を取得。その後NANDフラッシュのウェハー製造や設計に関するIPなど、残りの資産を取得するために、2025年3月末に20億ドルを支払う予定だ。 なおIntelは引き続きOptaneに関連する事業は継続。また大連にあるNANDフラッシュメモリ製造施設でのウェハーの製造を行うとともに、NANDフラッシュのウェハー製造と設計
次世代NANDフラッシュは176層とQLCでコストを大幅に削減:福田昭のストレージ通信(179) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(6)(1/2 ページ) 今回は、次世代の3D NANDフラッシュについて解説する。次世代3D NANDフラッシュでは、176層の高層化と、QLC(quadruple level cell)方式の多値化が主流になる。 100層を超える高密度3D NANDの量産が本格化 フラッシュメモリとその応用に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」が2020年11月10日~12日に開催された。FMSは2019年まで、毎年8月上旬あるいは8月中旬に米国カリフォルニア州サンタクララで実施されてきた。COVID-19(新型コロナウイルス感染症)の世界的な大流行(パンデミック)による影響で、2020年のFMS(F
メーカーが減産を計画していることから、DRAMやNANDフラッシュの価格が上昇する懸念が何度か伝えられたが、結果としてその兆しは見られず、むしろ今後下落する可能性もありそうだ。 DRAM価格は継続的に下がっている TrendForceの最新のレポートによるとDRAMおよびNANDフラッシュのスポット価格は短期的には回復の兆しがほとんど見られないとのことだ。 DRAMに関しては、まず第一の要因として、市場に十分な在庫がある事が挙げられる。消費者向け製品市場も弱く、ハードウェアメーカーはすでに抱えている在庫以上のメモリを必要としないため、スポット市場での購入が減少しているのだ。 2024年6月のDRAMスポット価格 (Credit: TrendForce) 加えて、中国市場において5月末以来密輸取り締まりが強化されたことも要因として挙げられている。中国では、リボールDRAMと呼ばれる、DRAM
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