SiGeが切り開く半導体の未来

SiGe（シリコンゲルマニウム）を用いた半導体製造プロセスでは、シリコンのみを用いた場合よりも低ノイズでより高速なトランジスタを実現できる。このことによって、アナログ回路の設計者は、多くのメリットを享受することができる。本稿では、今後さらに重要になるであろうSiGe半導体技術について解説する。 アナログ設計者への救いの手 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor：相補型金属酸化膜半導体）製造プロセスの進化は、ICの低コスト化と高速化を実現した。CMOS製造プロセスでは、その進歩の過程で電源電圧が低下し続けており、低消費電力化というメリットも得られる。デジタル回路の設計者であれば、それによる恩恵を直接的に得ることができる。デジタル回路では、1と0を区別できるだけのS/N比（信号対雑音比）が得られれば、電源電圧の低下についてさほど気にしなくてよい

[chintaro3]

2009年の記事　「SiGe HBT（Heterojunction Bipolar Transistor：ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）において、SiGeの厚さはnm単位となる。ゲルマニウムの比率が20％のSiGeが、50nmの厚さでベース領域に埋め込まれるといった具合だ」