SiGeが切り開く半導体の未来

SiGeがもたらすメリット 物理学と量子力学の理論上、HBTは何百ギガヘルツもの高速性を実現可能である。一方、シリコンのみの製造プロセスで速度を増加させるには、デバイスサイズの縮小という、HBTと比較して少し強引な手段をとることになる。最近の微細プロセスでは、この縮小による弊害として、トランジスタが破壊しないように、電源電圧を下げる必要があった。デジタル回路では、トランジスタはオン/オフの状態のみを伝達すればよい。そのため、この縮小という方法でもよいのだが、アナログ回路においては電源電圧を下げることでS/N比がすぐに限界に達してしまう。例えば、100GHzの動作周波数を達成するには、CMOSにおける縮小という手法を用いる場合、電源電圧を1V以下にしなければならない。 Maxim社のIC設計担当シニアサイエンティストであるJean-Marc Mourant氏は、「CMOSの本当の限界は、電源

[chintaro3]

「CMOSの製造プロセスにSiGeトランジスタの製造工程を加えるには、エピタキシャル反応装置を購入するだけで済み、そのほかのフローはそのまま」「SiGe HBTの導入は、ほかの化合物半導体などと比較すると非常に容易」