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サイプレスの65nm非同期SRAMでSingle Event Upset(SEU)を軽減
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サイプレスの65nm非同期SRAMでSingle Event Upset(SEU)を軽減:軽視していませんか? メモリの放射線... サイプレスの65nm非同期SRAMでSingle Event Upset(SEU)を軽減:軽視していませんか? メモリの放射線対策 はじめに システム設計者にとって、メモリ デバイスの信頼性とデータ インテグリティは最も重要な関心事の2つである。昨今のシステムは、放射線などの環境ファクターによるメモリ内のデータ破損に対する耐性が弱い。そのため、信頼性の高いメモリ デバイスを使用することが重要課題となっている。システム設計者は、高信頼性を得るためにオフチップで誤り訂正や冗長性を持たせる技術に頼らざるを得ない。だが、これら技術は、プリント基板のスペースをとったり処理に追加で時間がかかったりするため、オーバーヘッドの要因となる。サイプレスの最新世代SRAMは、シングルチップに誤り訂正符号(ECC)を搭載しており、ボード スペースやコストを抑えるだけでなく、デザインの複雑性も軽減する。これら製品は