ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計（13）～高移動度FinFETの期待と現実

ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計（13）～高移動度FinFETの期待と現実：福田昭のデバイス通信（24）（1/2 ページ） FinFETの“延命策”として、チャンネルの材料をシリコンからゲルマニウム（Ge）やインジウム・ガリウム・ヒ素（InGaAs）などに変更する方法がある。だが、ARMの講演では、この“延命策”に悲観的だった。今回は、Ge FETなどが抱える問題と、その打開策について紹介する。 移動度の高さをコンタクト抵抗の増加が打ち消す 前回は、14nm世代から5nm世代にかけてトランジスタの仕様がどのように推移していくかを示した。それから、FinFET（フィンフェット）の延命策を説明した。 FinFETの延命策は、チャンネルの材料をシリコン（Si）から、キャリア移動度の高い別の材料に変更することだと、前回は述べた。ゲルマニウム（Ge）やインジウム・ガリウム・ヒ素（InG

[chintaro3]

「7nm世代のRC積は、14nm世代の5.3倍に達する。」これクリアしないと14nmで実質打ち止めになりかねない

[vcc]

LSIの性能を支配するのは、寄生素子のRC積に依存するようになる。微細化によって増加する寄生素子は2つ。コンタクト抵抗と配線抵抗。