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GLOBALFOUNDRIES、22nm以降のFD-SOI開発に着手
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GLOBALFOUNDRIES、22nm以降のFD-SOI開発に着手
GLOBALFOUNDRIESが開発した「22FDX FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下22FDX)... GLOBALFOUNDRIESが開発した「22FDX FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下22FDX)」プロセスは2016年中にお目見えする予定だが、同社で最高技術責任者(CTO)を務めるGary Patton氏によると、同社は現在後継のプロセスを開発中だという。 22FDXは、4種類のプロセスから成る22nm FD-SOIのプラットフォームだ。GLOBALFOUNDRIESは、「22FDXは、プレーナ型CMOSプロセスと同等のコストで、FinFETと同等の性能とエネルギー効率を実現できる」と主張している。バックバイアスにより、性能から最小リーク電流に至るまで、トランジスタの動作を大幅に変える機会になるとしている。ちなみにSamsung Electronicsは、28nm FD-SOIプロセスを提供している。 主流はFinFET とはいえ、FinFETの製造は、G