世界初、窒化アルミニウムトランジスタを実現～カーボンニュートラルに貢献する次世代パワーデバイスの本命登場～ | ニュースリリース | NTT

日本電信電話株式会社（本社：東京都千代田区、代表取締役社長：澤田 純、以下「NTT」）は、窒化アルミニウム（AlN）を用いたトランジスタ動作（※1）に成功しました。トランジスタは半導体パワーデバイス（※2）として家電、電気自動車、産業機器などの電力変換に使われており、その低損失化は消費電力の削減によるカーボンニュートラルの実現に向けて重要です。ウルトラワイドバンドギャップ半導体（※3）のAlNは絶縁破壊電界が大きく、パワーデバイスの超低損失化に有望な材料です。NTTでは有機金属気相成長（MOCVD）（※4）による高品質AlN半導体の作製技術、良好なオーミック特性（※5）やショットキー特性（※6）を有する電極構造の作製技術を開発し、これら要素技術の確立により、AlNトランジスタの動作を実現しました。また、AlNトランジスタは500℃の高温においても動作することを明らかにしました。本成果は、半