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深い準位 - Wikipedia
この記事は検証可能な参考文献や出典が全く示されていないか、不十分です。出典を追加して記事の信頼性... この記事は検証可能な参考文献や出典が全く示されていないか、不十分です。出典を追加して記事の信頼性向上にご協力ください。(このテンプレートの使い方) 出典検索?: "深い準位" – ニュース · 書籍 · スカラー · CiNii · J-STAGE · NDL · dlib.jp · ジャパンサーチ · TWL(2018年12月) 半導体における深い準位とは、不純物などの欠陥がバンドギャップ中に作るエネルギー準位で、特に伝導帯や価電子帯からエネルギー的に離れているものを指す。深い準位を占有した電子(または正孔)が伝導帯(または価電子帯)へ遷移するために必要なエネルギーは、熱エネルギーkTよりも遥かに大きい。そのため大きな光エネルギーや熱エネルギーを与えない限り、電子(または正孔)は深い準位から抜け出せない。このことを深い準位にトラップされたと言う。 伝導帯の電子と価電子帯の正孔は、深い準位
2021/01/06 リンク