サムスン電子、「３Ｄ－ＴＳＶ」技術のＤＲＡＭ開発 | 聯合ニュース

サムスン電子、「３Ｄ－ＴＳＶ」技術のＤＲＡＭ開発 【ソウル聯合ニュース】サムスン電子は１７日、「３Ｄ（三次元）－シリコン貫通電極（ＴＳＶ）」技術を適用した超高速エンタープライズサーバー用３２ＧＢ（ギガバイト）ＤＲＡＭモジュールを業界で初めて開発したと明らかにした。 「３Ｄ－ＴＳＶ」は、パッケージ内の複数のチップを封止するための配線技術の一つで、速度や容量など半導体性能を向上させることができる。 従来の製品を搭載したサーバーの速度は８００Ｍｂｐｓだが、今回開発したモージュルを搭載したサーバーは６７％増の１３３３Ｍｂｐｓまで高速動作を実現できるという。消費電力も１時間当たり４．５ワットで、従来の製品では最も省エネ効果が高い。 同社半導体事業部の洪完勲（ホン・ワンフン）副社長は、「今回のモジュール製品は次世代大容量サーバーに必需要素の高性能・低電力特性をすべて併せ持っている。今後、性能をさらに高

[nobuharasawa]

超高速エンタープライズサーバー用３２ＧＢ（ギガバイト）ＤＲＡＭモジュールを業界で初めて開発　RT@ サムスン電子、「３Ｄ－ＴＳＶ」技術のＤＲＡＭ開発