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OKI、GaN機能層の剥離と異種材料基板に接合する技術を信越化学のQST基板に適用
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OKIは9月5日、信越化学工業と共同で、信越化学が独自改良したGaN成長専用の複合材料基板である「QST基板... OKIは9月5日、信越化学工業と共同で、信越化学が独自改良したGaN成長専用の複合材料基板である「QST基板」からOKIの結晶膜を成長基板から剥離し異種材料基板へ接合する技術である「CFB(Crystal Film Bonding)技術」を用いてGaN機能層のみを剥離し、異種材料基板へ接合する技術の開発に成功したことを発表した。 次世代パワー半導体材料であるGaNは、LEDの活用から始まり、パワー半導体や高周波デバイスとしての活用が進みつつある。中でも縦型GaNパワーデバイスは、電気自動車(EV)の走行距離の延長や給電時間の短縮など基本性能を向上するデバイスとして、今後需要が大きく拡大することが期待されているが、縦型GaNパワーデバイスの実用化に向けてはウェハの大口径化と大電流制御を可能にするための縦型導電の実現という2つの課題を解決する必要があるとされている。 信越化学のQST基板は、G