間接遷移について

必要なエネルギーを供給してやれば、伝導体の同じKのところに、 フォノンの吸収なしで垂直遷移しますが、それは間接遷移とは呼びません。 直接遷移です。定義を確認しましょう。 直接遷移：フォトンを吸収して伝導帯まで励起。 間接遷移：フォトンを吸収、さらにフォノンを吸収または生成して伝導帯に励起。 ついでに、こっちも確認した方が良いかもしれません。 直接ギャップ型半導体： 伝導帯の底の真下に、価電子帯のテッペンがある。 遷移に必要なギリギリのエネルギーを与えると、直接遷移が起こる。 間接ギャップ型半導体：伝導帯の底と価電子帯のテッペンがΔKだけずれてる。 遷移に必要なギリギリのエネルギーを与えると、間接遷移が起こる。 おそらく質問者さまもそうだと邪推するのですが、間接ギャップ型半導体の 説明図を見て「この種類の半導体では、必ず間接遷移が起きるのかな」 という誤解をしてしまう人は多いらしく、手持ちの

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光子の運動量h/λ、音子のエネルギーhΩは小。常温だと音子を吸収してEg-hΩの光子で励起可。絶対零度だと、Eg+hΩの光子が必要で、励起した後は、できるだけ高エントロピーな状態を目指して、音子を放出。