産総研：シリコンフォトニクスの画期的な光入出力技術を開発

発表・掲載日：2016/01/28 シリコンフォトニクスの画期的な光入出力技術を開発 －独自の表面垂直結合で光と電子の集積実装に向けて大きく前進－ ポイント 独自のイオン注入技術によりシリコン光配線の先端を数μmの曲げ半径で垂直方向に立体湾曲 光ファイバーとの高効率な垂直光結合を実現し、波長、角度、偏光の許容帯域を大幅に拡大 シリコン光電子集積回路へ光部品を表面実装する技術として期待 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）電子光技術研究部門【研究部門長 森 雅彦】３次元フォトニクスグループ 榊原 陽一 研究グループ長、吉田 知也 主任研究員らは、従来難しいとされてきた、シリコン光集積回路への光ファイバーや光部品の表面実装を容易にする光結合技術を開発した。 通常シリコン光配線はウェハ面内に形成されるが、今回開発した技術ではシリコン光配線の先端をイオ