産総研：半導体型単層カーボンナノチューブを選択的に合成する技術開発に成功

発表・掲載日：2014/02/12 半導体型単層カーボンナノチューブを選択的に合成する技術開発に成功 －最大98 %の高い選択率を実現－ ポイント 合成プロセスにおいて、金属触媒の状態をあらかじめ調整する手法を考案 半導体型の選択率が高くなるほどカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの特性が向上 最先端研究開発支援プログラム（FIRST）のプロジェクト「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」の助成による成果 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）ナノチューブ応用研究センター【研究センター長 飯島 澄男】畠 賢治 首席研究員、スーパーグロースCNTチーム 桜井 俊介 主任研究員らは、最先端研究開発支援プログラム（FIRST）のプロジェクト「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」（中心研究者：横山 直樹）の一環で、半導体型単層カーボンナノチ

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"鉄触媒の微粒子に水分と水素の混合ガスを供給して触媒を調整"