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磁石を使ったメモリに道:磁壁の電流による移動の要因を解明
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小野輝男 化学研究所教授は、小林研介 同准教授、千葉大地 同助教、同大学院生の小山知弘氏、上田浩平氏... 小野輝男 化学研究所教授は、小林研介 同准教授、千葉大地 同助教、同大学院生の小山知弘氏、上田浩平氏、近藤浩太氏、仲谷栄伸 電気通信大学教授、日本電気株式会社との共同研究で、強磁性ナノ細線における磁壁移動の閾値を決める要因が、電流と磁場で全く異なることを発見しました。磁気記録デバイスの低消費電力化と記録密度向上への寄与も期待できる成果であり、応用上の観点からも特筆すべきことです。この成果は、英国科学誌Nature Materials誌に2011年2月20日にオンライン公開されました。 研究の概要 強磁性体の磁区と磁区の境界を磁壁と呼びます(図1)。磁壁はナノスケールの磁化のねじれ構造で、これを電流で移動させることが可能であることを京都大学グループが2004年に示しました(Phys. Rev. Lett., 92 (2004) 077205)。その後、この現象を利用した新規メモリ素子がIB