MOS FET | マルツオンライン

MOS FET MOSとはMetal(金属）、Oxide(酸化物）、Semiconductor(半導体）の略で、FET (Field Effect Transistor:電界効果トランジスタ)の種類の1つです。 MOS FETはモーター駆動などのスイッチング素子として利用されることが多く、特に大電流を高速にスイッチするのに適しています。 （原理） 図１に構造原理図を示します。 図１ 構造原理 図１ a ) のように酸化絶縁膜の上に金属の電極をつけた部分をゲート(gate)と呼び、 各n型半導体の電極をソース(source)、ドレイン(drain)と呼びます。 p型半導体と酸化絶縁膜付近を反転層と呼び、反転層がn型の場合をNチャネルMOS FET、 b )のような構造で反転層がp型になるものをPチャネルMOS FETと言います。 （反転層） 反転層とは図２のように、絶縁膜をはさんで、ある程度

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“ゲート・ソース間電圧VDSがゼロの場合、ドレイン電流IDもゼロになる特性を「エンハンスメント型」(enhancement type)と言います”