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三次元DRAM、WOW技術で熱抵抗が1/3に削減
要点 3次元積層デバイスの熱抵抗[注1]計算法を確立 バンプとTSVを組み合わせた垂直配線に比べ、バンプレ... 要点 3次元積層デバイスの熱抵抗[注1]計算法を確立 バンプとTSVを組み合わせた垂直配線に比べ、バンプレスTSVの熱抵抗は1/3に IoT時代に欠かせない大容量メモリーの多層積層を3倍に 概要 東京工業大学 科学技術創成研究院 未来産業技術研究所の大場隆之教授はWOWアライアンス[用語1]と共同で、バンプレスTSV配線[用語2]を用いると、3次元積層デバイスの熱抵抗を従来のバンプ[用語3]の接合構造と比較して、30数%(1/3)まで低減できることを明らかにした。有限要素法(FEM)[用語4]と熱回路網の計算手法を用いて解析した。 解析により、バンプ接合TSV配線の3次元積層デバイスは積層部、絶縁層、有機膜が熱抵抗の主要因であることがわかった。これに対し、バンプレスTSV配線は、バンプの密度を同じにした場合、接合部の熱伝導が150倍良好であり、全体の熱抵抗では、従来手法が1.54 Kcm2