エントリーの編集
エントリーの編集は全ユーザーに共通の機能です。
必ずガイドラインを一読の上ご利用ください。
日立、LSIの消費電力を約50%削減できる低電圧動作のSRAM回路技術
記事へのコメント0件
- 注目コメント
- 新着コメント
このエントリーにコメントしてみましょう。
注目コメント算出アルゴリズムの一部にLINEヤフー株式会社の「建設的コメント順位付けモデルAPI」を使用しています
- バナー広告なし
- ミュート機能あり
- ダークモード搭載
関連記事
日立、LSIの消費電力を約50%削減できる低電圧動作のSRAM回路技術
日立製作所は08年9月16日、ネットワーク機器やサーバなどのIT機器に用いられるLSIの消費電力を約50%低... 日立製作所は08年9月16日、ネットワーク機器やサーバなどのIT機器に用いられるLSIの消費電力を約50%低減できる、SRAMの低電圧化技術を開発した、と発表した。SRAMは回路の微細化が進展するとともに素子特性のバラツキが大きくなるため、必要な動作電圧のマージンが増加し、LSIの省電力化の障壁となっていた。今回、動作電圧のマージンの最小化に向けて、新たなSRAMの動作解析手法を開発したことで、低動作電圧のSRAM回路を実現し、LSI全体の消費電力を約50%低減できることを確認した。同研究は文部科学省科学技術試験研究委託事業による委託業務「低電力高速デバイス・回路技術・論理方式の研究開発」で実施された。 今回、90nmプロセスを用いて、1MビットのSRAM回路を試作し、LSIの動作電圧を1.0Vから0.7Vに低減することができた。この結果は電力効率が約2倍向上することを表しており、LSI