どっちの道も楽じゃない
ここ1～2年ほどピタリと止まっていた半導体メモリ・メーカーの設備投資が、モバイル機器向けなどの需要拡大を見込んで回復傾向にあります。それを象徴するのが東芝の動きです。NANDフラッシュ・メモリ（以下、NAND）の主力製造拠点である四日市工場に新しいクリーン・ルームを建設すると7月初旬に発表しました（関連記事1）。これにより、NANDの「次世代プロセス品や3次元構造品の生産スペースを確保する」（東芝）としています。 需要拡大というチャンスを目の前にしながらも、NANDメーカー各社は今、難しい選択を迫られています。その選択とは「どのタイミングで微細化に見切りをつけ、3次元NANDへと舵を切るか」です。3次元NANDは、従来のような加工寸法の縮小（微細化）ではなく、メモリ・セルを多段積層するという方法でビット・コストを低減する技術。東芝の発表文にある「3次元構造品」がこれに当たります。 NAND
実は SSD は電源瞬断にかなり弱いかもしれない
年に何度か経験してしまう，意図しないパソコンの電源瞬断．今回は，そんな電源遮断と SSD の関係を調べた論文をご紹介． Understanding the Robustness of SSDs under Power Fault [キャッシュ] http://www.cse.ohio-state.edu/~zhengm/papers/2013_FAST_PowerFaultSSD.pdf 直感的には，可動部が無い分，SSD は HDD に比べて電源遮断に強い気がします．しかし，この論文では全く逆の結果が得られています． その要因は，Flash Translation Layer(FTL) と呼ばれるファームウェア．FTL は 論理アドレスと物理アドレスのマッピングを適切に管理することで，Flash メモリと HDD のデバイス特性の差を隠匿するとともに高速化を実現実現します． その一方，こ
東芝のメモリ事業，復活なるか - 日経エレクトロニクス - Tech-On！
2009年8月5日，東芝が経営方針説明会を開催し，同年6月に新たに代表執行役社長に就任した佐々木 則夫氏が登壇しました。そこでは，NANDフラッシュ・メモリ事業の戦略をどう転換するか，に大きな注目が集まりました。同社の半導体事業は，2008年度（2008年4月〜2009年3月）に2799億円もの巨額の営業損失を計上し，同社の連結業績の足を引っ張りました。半導体事業の不振の要因には，NANDフラッシュ・メモリの市場成長の鈍化や価格下落に伴う売上高減少が挙げられています。2007年度には1兆3919億円だった同社の半導体事業の売上高は2008年度には1兆232億円へと26％も減少し，それがそのまま収益悪化を招いた格好です。 では，佐々木氏はメモリ事業をどう立て直すのか。同氏が示した実現手段は三つあります。第1に，微細化・大容量化の先行です。東芝は，32nm世代への移行を加速させています。200
USBメモリなどにエラーがないかどうか徹底的にチェックできるフリーソフト「Check Flash」
USBメモリやSDカードなど、各種フラッシュメモリについてエラーがないかどうかチェックしたり、フォーマットできるのがこのフリーソフト「Check Flash」です。バルク品でノーブランドかつ激安のフラッシュメモリなどを買ったときにこのソフトを使ってチェックすればかなり便利です。 また、USBメモリなどのデータすべてに違うデータを上書きし、各種復元ソフトで二度と復元できないようにすることも可能です。 ダウンロードとインストール、使い方は以下から。 HOME PAGE OF MISHA CHERKES http://mikelab.kiev.ua/index_en.php?page=PROGRAMS/programs_en 上記サイトにアクセスし、クリックしてZIPファイルをダウンロード後、解凍します 中にある「ChkFlsh.exe」が本体なので、検査したい各種フラッシュメモリをパソコンに装
【VLSI】東京大学ら，SSDのランダム書き込みを2倍に高速化，データ・センターなどに向ける
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技術のブラックボックス化に走るSamsung社 - 日経エレクトロニクス - Tech-On!
「今年は韓国Samsung Electronics Co.，Ltd.から目立った発表が少なかった」。2007年12月10〜12日に米国ワシントンDCで開催された電子デバイスに関する国際会議「2007 International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）」に参加したある国内半導体メーカーの製造技術者からこういう発言を聞きました。 実際，Samsung社の稼ぎ頭であるメモリ関連の技術発表だけ見ても，昨年との差は一目瞭然です。1年前の「2006 IEDM」では，Samsung社は惜しげもなく，新技術を次々と披露しました。例えば，2008年の量産化を目指した32GビットNANDフラッシュ・メモリ向けの製造技術の詳細や，競合他社を大きく上回る集積度を達成した512MビットPRAM技術を発表しました。このほかにも，2個のメモリ・セルを3次元方向に積層するフ
【キクタマV】第5回---最大生産能力のSamsung，投資を継続する戦略のジレンマ
韓国Samsung Electronics Co., Ltd.は，これまで半導体景気の良し悪しに左右されずに投資を継続する戦略を採ってきた。圧倒的な生産能力を持つことでシェアを奪い，価格主導権を握る。その上でコスト競争力とマーケティング力で競合他社より優位に立つ戦略だ。これは，1990年代半ばに投資を止めたことで，シェアとコスト競争力を失い，最後にはDRAM事業から撤退していった日本メーカーを反面教師としている。Samsung社はこの戦略で，DRAMでトップ，NAND型フラッシュ・メモリでトップ，半導体企業の中でも売上高で米Intel Corp.に次ぐ2位という座を得た。しかし，大成功をもたらしたこの戦略が，2006年秋ころから上手く回らなくなり始めたようだ。 増産したメモリが供給過剰に 投資を継続したSamsung社は，その生産能力で他社を圧倒している（図）。加えて，同じ生産ラインでも，
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【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 Samsungが第3世代のV-NANDチップとして3-bit(TLC)版を発表
【イベントレポート】 3D NANDフラッシュ、華々しくデビュー
Samsung、セルを3次元構造とした128Gbit NANDの量産を開始
【福田昭のセミコン業界最前線】 ついに限界に達するNANDフラッシュの微細化と大容量化
【イベントレポート】 【Flash Memory Summit 2012】【SSD編】 安易なSSD導入がもたらす「猛毒」の正体
「我々が先陣切ってフラッシュ・メモリを使う」，東芝 PC&ネットワーク社 社長が宣言