超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)と名古屋大学、産業技術総合研究所は、GeTe/Sb2Te3超格子を用いた新しいタイプの相変化メモリー「TRAM(topological-switching RAM)」の超格子構造や抵抗変化機構を解明。構造を最適化し、低電力で動作させることに成功した。データセンターなどに向ける高速で低電力のストレージ(SSD)の実現につながる。「2014 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2014)」(2014年12月15~17日、米国サンフランシスコ)で詳細を発表する(講演番号29.2)。 LEAPなどは、従来の相変化メモリーのような結晶の溶融を伴わず、Ge原子の短範囲移動で抵抗が変化するTRAMの基本コンセプトを2013年12月に発表(関連記事1)。2014年6月には、CMOS基板上にTRAMを試作し
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