電子スピンの渦「スキルミオン」のサイズと渦の向きを自在に制御 -スキルミオンを記録ビットとする省電力メモリ素子の実現に前進- ポイント 組成により相対論的相互作用を変化させスキルミオンのサイズと渦の向きを制御 スキルミオンと組成の関係を局所領域のナノスケール観察と分析で明らかに スキルミオンを素子に応用する際の物質設計指針を提供 要旨 理化学研究所(理研、野依良治理事長)、東京大学(濱田純一総長)、物質・材料研究機構(潮田資勝理事長)は、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、ゲルマニウム(Ge)の化合物「Mn1-xFexGe」で、電子スピンが渦状に並んだ磁気構造体「スキルミオン[1]」のサイズと渦の向きがマンガンと鉄の濃度比で制御できることを見いだしました。これはスキルミオンを記録ビットとして用いる省電力磁気メモリ素子の実現に重要な指針を与えるものです。本成果は、理研創発物性科学研究センター強相関